半导体封装用间隔件的测试设备制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体封装用间隔件的测试设备，包含：一第一测试区域，具有一第一临时载板及一第一测试卡，所述第一临时载板用以承载一间隔件晶圆的一第一重布线层，所述第一测试卡具有数根第一探针，以测试所述间隔件晶圆的一第二重布线层；以及一第二测试区域，邻接于所述第一测试区域，并接收所述第一测试区域输出的所述间隔件晶圆，所述第二测试区域具有一第二临时载板及一第二测试卡，所述第二临时载板用以承载所述间隔件晶圆的第二重布线层，所述第二测试卡具有数根第二探针，以测试所述间隔件晶圆的第一重布线层。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体封装用间隔件的测试设备，特别是有关于一种可用于测试薄型化间隔件晶圆的半导体封装用间隔件的测试设备。
技术介绍
电子工业是近年来发展速度最快的重要产业，其使用的主要电子元件均以半导体封装(semiconductor packaging)为主流，为了达到转薄短小的趋势，各种高密度、高效能的半导体封装构造也就因应而生，其中各种不同的系统封装(system in package, SIP)设计概念常用于架构高密度封装构造，上述系统封装又可再分为多芯片模块(multi chipmodule, MCM)、封装体上堆叠封装体(package on package, POP)及封装体内堆叠封装体(package in package,PIP)等。此外，也有为了缩小封装构造体积而产生的设计概念,例如晶圆级封装构造(wafer level package, WLP)、芯片尺寸封装构造(chip scale package, CSP)以及无外引脚封装构造(quad-flat no-lead package, QFN)等。在WLP或CSP型封装构造中，为了缩小芯片尺寸及提升芯片的散热效率，经常在芯片与基板之间，或在芯片与芯片之间使用了娃间隔件(siliconinterposer),其中所述娃间隔件的内部形成有许多穿娃导通孔(through siliconvia,TSV),及其两侧表面分别具有一重布线层(re-distribution layer, RDL),且所述重布线层上又形成有许多凸块(bumps),所述硅间隔件可以做为芯片与基板(或另一芯片)之间的传导路径，以便重新排列分布焊垫位置及间距，并提供散热功能，同时也能避免使用低介电系数材质的芯片因与基板之间的热膨胀系数(CTE)差异而发生翅曲(warpage)及破裂(crack)等问题。一般而言，在完成芯片、硅间隔件与基板的封装作业之前或之后，均会依照所指定的各项电性测试流程，对封装完成的成品进行组件个别测试或是封装成品测试(finaltest)，以检测出不符合质量(quality)要求的半导体封装成品，其中，测试的类别包括产品外观质量检测(incoming quality assurance, IQA)、功能性测试(function test)、老化测试(burn-in test)以及开路/短路测试(open/short test)等。请参照图I所示，其揭示一种现有硅间隔件在封装作业之前单独进行开路/短路测试的示意图，其中一娃间隔件晶圆(silicon interposer wafer) 10包含数个穿娃导通孔11、一第一重布线层12、数个第一重分布焊垫13、数个第一凸块14、一第二重布线层15、数个第二重分布焊垫16及数个第二凸块17。在进行测试时，首先利用一组夹具20夹住所述娃间隔件晶圆10的周缘，以固定所述娃间隔件晶圆10。接着，同时利用一第一测试卡(testcard) 21及一第二测试卡22对所述硅间隔件晶圆10进行测试，其中所述第一测试卡21的数个第一探针(probes) 23接触所述第一凸块14，及所述第二测试卡22的数个第二探针24接触所述第二凸块27。因此，可以达到同时测试上、下两表面的凸块的效果。在测试后，所述硅间隔件晶圆10再被切割成数个硅间隔件，以用于后续封装作业。然而，上述现有间隔件测试设备在实际使用上仍具有下述问题由于使用硅间隔件的封装构造逐渐被设计成日益微型化，因此硅间隔件的厚度也必需随着不断的变薄。但是，当硅间隔件的厚度小于150微米(μπι)时，要使用所述夹具20稳固的夹持所述硅间隔件晶圆10将变得不容易达成，且极易造成所述硅间隔件晶圆10的边缘破裂，因而造成硅间隔件的不良品，并且使得测试作业难以顺利完成。故，有必要提供一种半导体封装用间隔件的测试设备，以解决现有技术所存在的问题
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种半导体封装用间隔件的测试设备，以解决现有间隔件测试设备技术所存在的不易固定薄型化间隔件的技术问题。本技术的主要目的在于提供一种半导体封装用间隔件的测试设备，其是在制作完成间隔件晶圆之后，首先使用第一临时载板先固定间隔件晶圆的第一重布线层，以便通过第一测试卡的第一探针先测试间隔件晶圆的第二重布线层；接着，再使用第二临时载板固定间隔件晶圆的第二重布线层，以便通过第二测试卡的第二探针测试间隔件晶圆的第一重布线层。因此，即使间隔件晶圆的厚度薄化到150微米以下，仍可在保持间隔件晶圆结构完整的前题下，依序顺利完成第二及第一重布线层的开路/短路测试。为达成本技术的前述目的，本技术提供一种半导体封装用间隔件的测试设备，其中所述测试设备包含一第一测试区域，具有一第一临时载板及一第一测试卡，所述第一临时载板用以承载一间隔件晶圆的一第一重布线层，所述第一测试卡具有数根第一探针，以测试所述间隔件晶圆的一第二重布线层；以及一第二测试区域，邻接于所述第一测试区域，并接收所述第一测试区域输出的所述间隔件晶圆，所述第二测试区域具有一第二临时载板及一第二测试卡，所述第二临时载板用以承载所述间隔件晶圆的第二重布线层，所述第二测试卡具有数根第二探针，以测试所述间隔件晶圆的第一重布线层。在本技术的一实施例中，所述第一临时载板是一玻璃载板或一娃载板。在本技术的一实施例中，所述第一临时载板上另涂布一粘胶层，以粘附固定所述间隔件晶圆的第一重布线层(及第一凸块)。在本技术的一实施例中，所述第二临时载板包含一支撑框及一胶带，所述支撑框支撑及固定所述胶带，所述胶带粘附固定所述间隔件晶圆的第二重布线层(及第二凸块)。在本技术的一实施例中，所述胶带为紫外线去粘胶带，其可在照射紫外线之后失去粘性。在本技术的一实施例中，所述第一测试区域及第二测试区域之间另包含一载板转换区域，其供应所述第二临时载板以承载所述间隔件晶圆的第二重布线层，并移除所述间隔件晶圆的第一重布线层上的第一临时载板。在本技术的一实施例中，所述间隔件晶圆是娃间隔件晶圆、玻璃间隔件晶圆或氮化铝间隔件晶圆。在本技术的一实施例中，所述间隔件晶圆的厚度小于150微米，例如在100至150微米之间。在本技术的一实施例中，所述间隔件晶圆内具有数个导通孔，以电性连接所述第一及第二重布线层。在本技术的一实施例中，所述间隔件晶圆的第二重布线层具有数个第二凸块，所述第一测试卡的第一探针接触所述第二凸块，以测试所述间隔件晶圆的第二重布线层。在本技术的一实施例中，所述间隔件晶圆的第一重布线层具有数个第一凸块，所述第二测试卡的第二探针接触所述第一凸块，以测试所述间隔件晶圆的第一重布线层。在本技术的一实施例中，所述第二凸块为弧凸状的微凸块(micro-bumps)，及所述第一凸块为球状的锡凸块、扁球状的金凸块、圆柱状的铜柱凸块(Cu pillar bumps)或圆柱状的镍柱凸块等。 在本技术的一实施例中，所述第二凸块的直径小于所述第一凸块的直径，以及所述第二凸块的间距小于所述第一凸块的间距。再者，本技术提供另一种半导体封装用间隔件的测试设备，其中所述测试设备包含一第一测试区域，具有一第一临时载板及一第一测试卡，所述第一临时载板用以承载一间隔本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装用间隔件的测试设备，其特征在于：所述半导体封装用间隔件的测试设备包含：一第一测试区域，具有一第一临时载板及一第一测试卡，所述第一临时载板用以承载一间隔件晶圆的一第一重布线层，所述第一测试卡具有数根第一探针，以测试所述间隔件晶圆的一第二重布线层；以及一第二测试区域，邻接于所述第一测试区域，并接收所述第一测试区域输出的所述间隔件晶圆，所述第二测试区域具有一第二临时载板及一第二测试卡，所述第二临时载板用以承载所述间隔件晶圆的第二重布线层，所述第二测试卡具有数根第二探针，以测试所述间隔件晶圆的第一重布线层。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱伟硕，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：