深槽型的超级结半导体器件的版图结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种深槽型的超级结半导体器件的版图结构，包括元胞区、终端区，终端区设置于元胞区的外围；元胞区内部由多道深沟槽构成，终端区由多道环形的深沟槽构成；所述元胞区与终端区的过渡区内形成有假元胞区；假元胞区的一部分区域位于N型外延区内，该区域内设置有多个N型外延接触孔，通过N型外延接触孔与N型外延区直接接触，形成金属半导体接触；假元胞区的剩余部分区域位于P型外延区内，通过P型外延接触孔与电源地连接。本实用新型专利技术能够避免器件由于N型外延与P型外延的失配所形成的薄弱点对于器件性能的影响，提高器件抗雪崩击穿能力以及相关的可靠性。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体集成电路中的超级结器件结构，具体涉及一种深槽型的超级结半导体器件的版图结构。
技术介绍
超级结半导体元件对于N型外延与P型外延的匹配要求非常高，在外加电压下，N型外延与P型外延发生耗尽，耗尽区的厚度决定了产品的耐压能力。同时，产品内部各个点的耗尽均匀程度直接决定了产品的良率与可靠性。现有的超级结半导体器件的版图结构如图I所示，包括元胞区(Cell) I、终端区2，终端区2设置于元胞区I的外围；元胞区I内部由多道深沟槽构成，终端区2由多道环形的 深沟槽构成；深沟槽内填充有P型外延，沟槽之间为N型外延；元胞区I内部和终端区2的N型外延与P型外延为等间距，这样能够至少从版图设计角度保证器件内部各个点的均一性。元胞区I内有源区注入；如图2所示,位于元胞区I的P型深沟槽内的元胞源区接触孔与元胞区I内的P型体注入区和源注入区连接。但是，这种结构的超级结半导体器件，一则受版图图形的影响，二则受后续工艺实现(CD、应力等)的影响，很难确保器件的四个转角处A的N型外延与P型外延的相匹配。也就是说，即使通过工艺调整，实现了元胞区I和终端区2的N型外延与P型外延的完全匹配(即在一定外本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓明，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：