TFT-LCD阵列基板及其制造、修复方法技术

本发明专利技术公开了一种TFT-LCD阵列基板及其制造、修复方法，该阵列基板包括：第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜，位于第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间的栅层、源漏电极层和位于栅层和源漏电极层之间的栅绝缘层，在栅层和/或源漏电极层上设置像素镭射图形。该阵列基板在出现亮点时由于存在像素镭射图形因此可以采用激光熔接技术进行修复。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管液晶显示领域，特别涉及ー种TFT-IXD阵列基板及其制造、修复方法。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。高级超维场开关技术(Advanced-Super Dimensional Switching,AD-SDS)通过同一平面内像素间电极产生边缘电场，使电极间以及电极正上方的取向液晶分子都能在平面方向，即平行于基板的方向产生旋转转换，在增大视角的同时提高液晶层的透光效率。现有技术中的AD-SDS型TFT-IXD阵列基板一般包括以下六层形成在玻璃基板上的第一氧化铟锡(Indium-Tin Oxide, ΙΤ0)层，也叫第一透明导电薄膜；形成在第一 ITO层之上的栅层，栅层主要用于实现栅线和公共电极线以及栅电极和公共电极；形成在栅层之上井覆盖整个第一 ITO层的第一绝缘层以及形成在第一绝缘层之上的源漏电极层；第ニ绝缘层形成在源漏电极层上井覆盖整个第一绝缘层，在第二绝缘层上开设过孔，像素电极形成在第二绝缘层上，并通过第二绝缘层上的过孔与源漏电极层中的漏电极连接;第二 ITO层形成在第二绝缘层之上。这样，这六层结构就构成了 TFT显示所需的栅线、数据线、公共电极线、像素电极、公共电极以及TFT晶体管。像素电极和公共电极组成电容，形成水平电场，使液晶分子有规律的进行偏转，而TFT晶体管就是这个电容充放电的开关，栅线和数据线则为开关的开启提供电压，具体的，栅线用于提供TFT显示所需的行扫描信号，数据线用于提供TFT显示所需的源信号，公共电极线用于为第一 ITO层提供电压。在现有技术的阵列基板中，像素是TFT显示的基本単元，一般由R、G、B三个亚像素组成，如果亚像素发生异常就会造成亮点或暗点，而由于AD-SDS技术采用的是常黑模式，因此亮点会对终端显示造成严重的品质影响，为了降低这种影响，通常采用明点暗点化的修复方法。但是，目前针对AD-SDS模式的阵列基板并没有很好的明点暗点化的修复方法，由此可以看出，现有技术中的阵列基板在出现亮点时不易修复。
技术实现思路
本专利技术提供了ー种TFT-LCD阵列基板及其制造、修复方法，用以解决现有技术中的阵列基板在出现亮点时不易修复的问题。ー种TFT-IXD阵列基板，包括第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜，位于第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间的栅层、源漏电极层和位于栅层和源漏电极层之间的栅绝缘层，其特征在于，在栅层和/或源漏电极层上设置像素镭射图形。一种显示装置，包括上述的TFT-IXD阵列基板。ー种TFT-IXD阵列基板的制造方法，包括在基板上沉积ー层第一透明导电薄膜；在沉积了第一透明导电薄膜的基板上沉积金属薄膜形成栅层；连续沉积栅绝缘层，所述栅绝缘层形成在基板上井覆盖所述第一透明导电薄膜和所述栅层；在所述栅绝缘层上沉积金属薄膜形成源漏电极层，其中，在栅层和/或源漏电极层上设置像素镭射图形；沉积第二透明导电薄膜。一种修复上述的TFT-IXD阵列基板的方法，包括确定所述阵列基板上出现亮点的像素；确定所述像素所在的第一透明导电薄膜上对应像素镭射图形的位置；在所述位置采用激光熔接技术，将第一透明导电薄膜穿过所述像素镭射图形和第ニ透明导电薄膜相连接。本专利技术实施例中通过在源漏电极层和/或栅层上设置像素镭射图形，使得在阵列基板出现亮点需要修复时，可以采用激光熔接技木通过该像素镭射图形将第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜相连，由于第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜都较薄，且中间相隔栅绝缘层和钝化层，这两层不导电且厚度较厚，在镭射时不易熔接，因此，通过在源漏电极层増加ー个由导电金属构成的像素镭射图形，使得第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间可以实现熔接，从而使得第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间的水平电场接近为零，从而使得液晶不发生偏转，进而使像素暗点化，得以修复亮点。附图说明图I为本专利技术一个实施例中栅层结构图；图2为本专利技术一个实施例中源漏电极层结构图；图3为本专利技术一个实施例中钝化层结构图；图4为本专利技术一个实施例中阵列基板整体结构图；图5为本专利技术一个实施例中的像素镭射图形所在位置的剖面图；图6为本专利技术一个实施例中的像素镭射图形所在位置进行激光熔接时的剖面图；图7为本专利技术另ー个实施例中第一透明导电薄膜和栅层结构图；图8为本专利技术另ー个实施例中源漏电极层结构图 ；图9为本专利技术另ー个实施例中钝化层结构图；图10为本专利技术另ー个实施例中阵列基板整体结构图；图11为本专利技术另ー个实施例中的像素镭射图形所在位置的剖面图；图12为本专利技术另ー个实施例中的像素镭射图形所在位置进行激光熔接时的剖面图；图13为本专利技术中AD-SDS型TFT-LCD阵列基板的制造方法流程图；图14为本专利技术中AD-SDS型TFT-IXD阵列基板的修复方法流程图。具体实施例方式本专利技术实施例提供了ー种TFT-IXD阵列基板及其制造、修复方法，可以解决现有技术中的阵列基板在出现亮点时不易修复的问题。本专利技术实施例提供了ー种TFT-IXD阵列基板，包括第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜，位于第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间的栅层、源漏电极层和位于栅层和源漏电极层之间的栅绝缘层，其特征在于，在栅层和/或源漏电极层上设置像素镭射图形。本专利技术实施例中通过在栅层和/或源漏电极层上设置像素镭射图形，使得在阵列基板出现亮点需要修复时，可以采用激光熔接技木通过该像素镭射图形将第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜相连，由于第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜都较薄，且中间相隔栅绝缘层和钝化层，这两层不导电且厚度较厚，在镭射时不易熔接，因此，通过在栅层和/或源漏电极层増加ー个由导电金属构成的像素镭射图形，使得第一透明导电薄膜和第 ニ透明导电薄膜之间可以实现熔接，从而使得第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间的水平电场接近为零，从而使得液晶不发生偏转，进而使像素暗点化，得以修复亮点。这里，在栅层和/或源漏电极层上设置像素镭射图形的具体实现方式包括如下几种可以只在栅层上设置像素镭射图形，也可以只在源漏电极层上设置像素镭射图形，或者，为了实现更好的效果，同时在栅层和源漏电极层上都设置像素镭射图形。较佳的，当同时在栅层和源漏电极层上都设置像素镭射图形时，所述源漏电极层上的像素镭射图形位于所述栅层上的像素镭射图形的正上方，则在激光熔接吋，这两个像素镭射图形相互配合，可以进一歩降低第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间的熔接难度。或者，由于栅层包括公共电极线，因此，也可以不在栅层设置像素镭射图形，而仅仅将源漏电极层上的像素镭射图形设置在位于所述栅层的公共电极线正上方的位置，这样，在进行激光熔接时，可以直接通过公共电极线和源漏电极层上的像素镭射图形将第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜相连接，也就相当于是由公共电极线充当了栅层的像素镭射图形的作用，由于公共电极线也是导电金属制成的，所以熔接起来也较为容易。并且，所述源漏电极层和第二透明导电薄膜之间还包括钝化层，则为了进ー步降低第一透明导电薄膜和第二透明导电薄膜之间的熔接难度，还可以在钝化层上设置ー个镭射孔，且所述镭射孔位于所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周保全，范朋，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：