本发明专利技术公开了一种阵列基板及其制备方法和显示装置，涉及液晶显示技术领域，能够在不影响像素的透过率的前提下，大大降低数据线负载，从而减小液晶面板的功耗。该阵列基板包括：由栅线和数据线交叉限定的像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极；与所述像素电极配合产生边缘电场的条状的公共电极，所述公共电极与所述像素电极之间设有绝缘层；所述公共电极包括：覆盖在数据线上方且宽度大于数据线的第一公共电极和设置在像素电极上方的第二公共电极，所述第一公共电极对应于数据线的区域镂空。本发明专利技术应用于平面电场模式的液晶装置。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法和显示装置。
技术介绍
ADSDS (Advanced Super Dimension Switch),简称 ADS,即高级超维场开关技术，通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提闻了液晶工作效率并增大了透光效率。闻级超维场开关技术可以提闻TFT-LCD广品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(Push Mura)等优点。在现有的AD-SDS模式液晶显示器中，公共电极和像素电极由透明导体制成，从而增加了开口率和透光率，并且公共电极和像素电极之间所形成的空间比上、下基板间的空间更狭窄，从而在公共电极和像素电极之间形成边缘电场，使得液晶分子在平行于基板的平面方向上发生旋转转换，从而提高液晶层的透光效率。为了避免数据线上方的遮光区对开口率的影响，提高像素的透过率，现有技术提供一种像素结构，如图I所示，去掉数据线I上方的遮光区，设置与数据线I相平行的条状的公共电极2，一部分条状的公共电极2设置在像素电极3上方，另一部分条状的公共电极2覆盖在数据线I上方，并且宽度大于数据线I的宽度，通过在数据线I上方形成公共电极2的覆盖来抑制数据线I对液晶电场的干扰，防止发生漏光等不利影响，进而提高像素的透过率。然而，专利技术人发现现有技术的像素结构在数据线上的负载过大，并且覆盖在数据线上的公共电极与数据线之间的电容在功耗方面占比最大，造成整个液晶面板的功耗大大增加。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置，能够在不影响像素的透过率的前提下，大大降低数据线负载，从而减小液晶面板的功耗。为解决上述技术问题，本专利技术实施例采用如下技术方案—种阵列基板，包括由栅线和数据线交叉限定的像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管和像素电极；与所述像素电极配合产生电场的条状的公共电极，所述公共电极与所述像素电极之间设有绝缘层；所述公共电极包括覆盖在数据线上方且宽度大于数据线的第一公共电极和设置在像素电极上方的第二公共电极，所述第一公共电极对应于数据线的区域镂空。所述条状的公共电极的排布平行于所述数据线的排布方向。所述第二公共电极在每一个像素区域内等距排布。所述第一公共电极的边缘与与其相邻的第二公共电极的边缘相连接。所述数据线所 在的层与所述公共电极所在的层之间设置有树脂层。所述树脂层设置在所述数据线所在的层与所述像素电极所在的层之间。—种阵列基板的制备方法，包括在基板上形成栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极，且所述薄膜晶体管的栅极与所述栅线连接、源极与所述数据线连接、漏极与所述像素电极连接；在形成有栅线、数据线、薄膜晶体管和像素电极的基板上形成与所述像素电极配合产生电场的条状的公共电极，所述公共电极与所述像素电极之间设有绝缘层，所述公共电极包括覆盖在数据线上方且宽度大于数据线的第一公共电极和设置在像素电极上方的第二公共电极，所述第一公共电极对应于数据线的区域镂空。所述第二公共电极在每一个像素区域内为等距排布。所述第一公共电极的边缘与与其相邻的第二公共电极的边缘相连接。还包括在所述数据线所在的层与所述公共电极所在的层之间设置树脂层。所述在所述数据线所在的层与所述公共电极所在的层之间设置树脂层具体为在所述数据线所在的层与所述像素电极所在的层之间设置树脂层。一种显示装置，包括上述的阵列基板。在本实施例的技术方案中，由底部的面状像素电极和上部的条状公共电极形成电场，上部公共电极和底部像素电极通过绝缘层隔开，上部的条状公共电极包括在数据线上方且覆盖数据线边缘的镂空的第一公共电极和像素电极上方的第二公共电极，通过这样的设计方案，既能够不影响像素的透过率，又能大大降低数据线负载，从而减小液晶面板的功耗。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有技术阵列基板的剖面结构示意图；图2为本专利技术实施例中阵列基板的剖面结构示意图之一；图3为本专利技术实施例中阵列基板的剖面结构示意图之二 ；图4为本专利技术实施例中阵列基板的制备方法的流程图。附图标记说明I-数据线； 2-公共电极； 3-像素电极；4-绝缘层； 5-树脂层；21-第一公共电极；22-第二公共电极。具体实施例方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置，能够在不影响像素的透过率的前提下，大大降低数据线负载，从而减小液晶面板的功耗。实施例一本专利技术实施例提供一种阵列基板，如图2所示，该阵列基板包括由栅线(图中未示出)和数据线I交叉限定的像素区域，所述像素区域内设有薄膜晶体管(图中未示出)和像素电极3 ;与所述像素电极3配合产生电场的条状的公共电极2，所述公共电极2与所述像素电极3之间设有绝缘层4 ;所述公共电极2包括覆盖在数据线I上方且宽度大于数据线I的第一公共电极21和设置在像素电极3上方的第二公共电极22，所述第一公共电极21对应于数据线I的区域镂空。本领域的技术人员可以理解，条状的公共电极2整体上是导通的，即第一公共电极21和第二公共电极22是导通的，因其是本领域公知常识，故图中 未示出。由于在现有技术提供的方案中，将公共电极完全覆盖在数据线上方，造成数据线上的负载过大，并且覆盖在数据线上的公共电极与数据线之间的电容在功耗方面占比最大，导致整个液晶面板的功耗大大增加，因此，本实施例提供的阵列基板，其覆盖在数据线上的第一公共电极采用为对应于数据线的区域是中间镂空的结构，这样能大大降低数据线上的寄生电容，从而降低功耗。优选地，条状公共电极的排布平行于数据线的排布方向，即所述第一公共电极21和第二公共电极22的排布方向平行于数据线的排布方向。进一步地，所述第二公共电极22在每一个像素区域内为等距排布，在像素区域内，条状的公共电极形成等距排布，能够形成比较均匀的电场，具有更好的光特性。再进一步地，如图3所示，为了抑制数据线I对液晶电场造成的干扰，需要将第一公共电极21的边缘做的足够宽，可以将所述第一公共电极21的边缘与与其相邻的第二公共电极22的边缘相连接。进一步地，如图2和图3所示，为了防止第一公共电极21镂空后数据线I对液晶电场造成的干扰，在所述数据线I所在的层与所述公共电极2所在的层之间设置一层树脂层5，该树脂层5采用树脂材料，树脂材料由于其具有较低的介电常数和比较大的厚度，对于降低数据线对液晶电场的不利影响有很大的改善作用。本领域的技术人员可以理解，所述树脂材料应为透明材料；并且，上述绝缘层4也应为透明材料。需要说明的是，树脂层5可以设置在所述数据线I所在的层与所述本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李成，董学，陈东，木素真，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。