薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器制造技术

本实用新型专利技术提供一种薄膜晶体管阵列基板，涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，能够简便快速地修复数据线上的断路，提高了修复成功率，且适用于小尺寸面板。其中薄膜晶体管阵列基板，包括基板，基板上形成有含栅极的栅线，栅线、栅极上形成有栅绝缘层，栅绝缘层上形成有半导体有缘层、像素电极层和修复线，其中，半导体有缘层位于栅极上方，半导体有缘层、像素电极层和修复线上形成有数据线、源极和漏极，其中，修复线与所述数据线相互对应，所述源级与所述半导体有缘层相接触，漏极与半导体有缘层相接触，漏极与像素电极层相接触，数据线、源极和漏极上形成有保护层。本实用新型专利技术用于薄膜晶体管阵列基板制造。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及薄膜晶体管液晶显示器制造领域，尤其涉及一种薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器。
技术介绍
薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)是利用控制电场强度的变化，改变液晶分子的取向，从而控制透光的强弱来显示图像的。在TFT阵列基板的制造过程中，会出现数据线断路的问题，从而影响液晶显示的画面质量。例如数据线用来提供数据信号，当数据线被电击穿后，断路的数据线会导致TFT-IXD面板上出现一条亮线或暗线，造成线性不良现象。如图I所示，为当数据线被电击穿后，现有技术采用的是环线修复方法。在TFT阵列基板周边设置维修线11，当数据线12出现断路时将该数据线12与维修线11电连接进行修复。但是通过维修线路进行数据线修复时，由于线路负荷的增加会导致修复成功率减少，另外，尺寸较小的产品也较难设置合适的维修线。
技术实现思路
本技术的实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器，能够简便快速地修复数据线上的断路，提高了修复成功率，且适用于小尺寸面板。为达到上述目的，本技术的实施例采用如下技术方案—方面，提供一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板；在所述基板上形成有含栅极的栅线；在所述栅线、栅极上形成有栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成有半导体有缘层、像素电极层和修复线；其中，所述半导体有缘层位于所述栅极上方；在所述半导体有缘层、像素电极层和修复线上形成有数据线、源极和漏极，其中，所述修复线与所述数据线相互对应，所述源极与所述半导体有缘层相接触，所述漏极与所述半导体有缘层相接触，所述漏极与所述像素电极层相接触；在所述数据线、源极和漏极上形成有保护层。所述修复线与所述数据线相接触。所述修复线的宽度等于或小于所述数据线的宽度。一方面，提供一种液晶显示器，包括具有上述技术特征的任意一个薄膜晶体管阵列基板。本技术实施例提供的薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器，在数据线下方设有修复线，该修复线与数据线相互对应。这样，当数据线出现断开不良时，可以利用其下方的修复线对数据线进行修复。避免了现有技术中利用环线进行修复的方法，不会增加修复线 的负荷，提高了数据线的修复成功率，且适用于小尺寸面板。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为现有技术中薄膜晶体管阵列基板环线修复结构示意图；图2为本技术提供的薄膜晶体管的结构示意图；图3为本技术提供的薄膜晶体管阵列基板的结构示意图； 图4为图3的B-B向截面图；图5为数据线修复的结构示意图；图6为本技术提供的薄膜晶体管阵列基板制造过程中的基板结构示意图一；图7为本技术提供的薄膜晶体管阵列基板制造过程中的基板结构示意图二 ；图8为本技术提供的薄膜晶体管阵列基板制造过程中的基板结构示意图三；图9为本技术提供的薄膜晶体管阵列基板制造过程中的基板结构示意图四。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本技术实施例提供的薄膜晶体管阵列基板，如图2至图4所示，包括基板21 ;在基板21上形成有含栅极22的栅线(图2中未标示)；在栅线、栅极22上形成有栅绝缘层23 ;在栅绝缘层23上形成有半导体有缘层24、像素电极层26和修复线25 ;其中，半导体有缘层24位于栅极22上方；在半导体有缘层24、像素电极层26和修复线25上形成有数据线27、源极28和漏极29，其中，修复线25与数据线27相互对应，源极28与半导体有缘层24相接触，漏极29与半导体有缘层24相接触，漏极29与像素电极层26相接触；在数据线27、源极28和漏极29上形成有保护层30。如图3所示，该修复线25的宽度可以等于或小于数据线27的宽度。另外，如图5所示，该修复线25可以与数据线27相接触。当数据线27上出现断开不良点51时，数据线27上流经的电流信号可以通过位于数据线27下方的与其相接触的修复线25传输，从而绕过数据线27上的断开不良点51。实现了对数据线的修复。避免了现有技术中利用环线进行修复的方法，不会增加修复线的负荷，提高了数据线的修复成功率，且适用于小尺寸面板。本技术实施例提供的液晶显示器，包括上述实施例提供的TFT阵列基板，该TFT阵列基板的结构与上述实施例相同，在此不再赘述。本技术实施例提供的TFT阵列基板，其制作方法，可以通过图6 图9进行说明。步骤一、在玻璃基板上形成第一导电薄膜，通过构图工艺处理得到栅线和栅极。示例性的，如图6所示，可以使用磁控溅射方法，在基板21上制备一层厚度在1000人至7000人的金属薄膜。金属材料通常可以采用钥、铝、铝镍合金、钥钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩模版通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，在基板21的一定区域上形成多条横向的栅线和与栅线相连的栅极22。步骤二、在栅线上形成栅绝缘层，对应栅线的栅极，在栅绝缘层上形成半导体有缘层。示例性的，如图7所示，可以利用化学汽相沉积法在基板21上连续沉积厚度为1000人至6000人的栅绝缘层23和厚度为1000人至6000人的非晶硅薄膜和n+非晶硅薄膜，也可以是在栅绝缘层23之上沉积金属氧化物半导体薄膜。栅绝缘层23的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。用半导体有缘层24的掩模版对非晶硅薄膜进行曝光，之后对该非晶硅薄膜进行干法刻蚀，在栅极22的上方形成半导体有缘层24。另外，如果是在栅绝缘层23之上沉积金属氧化物半导体薄膜作为半导体有缘层24，则对金属氧化物半导体薄膜进行一次构图工艺即可形成半导体有缘层24，即在光刻胶涂覆后，用普通的掩模版对基板进行曝光、显影、刻蚀形成半导体有缘层24即可。步骤三、在半导体有缘层上沉积像素电极层，通过构图工艺处理得到修复线和像素电极层。 示例性的，如图8所示，在半导体有缘层24上沉积一层像素电极层26。常用的像素电极为 ITO(Indium Tin Oxides,铟锡氧化物)或 IZO(Indium Zinc Oxide,铟锌氧化物),厚度在100人至1000人之间。在该像素电极层26上涂覆光刻胶，并进行曝光、显影、刻蚀处理。得到修复线25和像素电极层26。步骤四、在修复线和像素电极层上形成第二导电薄膜，在第二导电薄膜上涂覆光刻胶，之后通过构图工艺处理得到数据线以及源极、漏极。该源极、漏极和半导体有缘层、栅极构成薄膜晶体管。示例性的，如图9所示，可以采用和制备栅线类似的方法，在修复线25和像素电极层26上沉积一层类似于栅金属的厚度在1000人到7000人金属薄膜。通过构图工艺处理在一定区域形成数据线27和源极28、漏极29。源极28、漏极29通过半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朴相镇，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：