一种阵列基板及其制造方法和显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置，所示阵列基板包括基板，以及在所述基板上形成的薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极和钝化层，所述薄膜晶体管中的栅极和源极分别与所述扫描线和数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接，其中，所述阵列基板还包括：黑矩阵，所述黑矩阵与所述薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置。本发明专利技术通过将黑矩阵设置在阵列基板上，并将黑矩阵与薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置，避免了设置在彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的薄膜晶体管、数据线和扫描线之间发生的偏离，解决了由于上述偏离造成的漏光现象，同时也有利于降低黑矩阵的面积，增大显示面板的开口率，提高显示面板的亮度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示
，具体地，涉及一种阵列基板及其制造方法和显示装置。
技术介绍
在薄膜晶体管液晶显不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)的生产领域，液晶面板的开口率是一个重要的产品指标。液晶面板中的数据线、扫描线和薄膜晶体管，通常采用设置在彩膜层中的黑矩阵遮挡，黑矩阵区域不能透光，液晶面板的开口率是指光线通过的那一部分的面积与液晶面板整体的面积之间的比值，开口率越高，光线通过的效率越高，同时，液晶面板的高开口率对于提高液晶面板的清晰度、亮度以及节省能源等方面都具有重要意义。现有技术中，液晶面板通常包括阵列基板、彩膜基板和液晶层，液晶层对盒封装在阵列基板和彩膜基板之间。其中，彩膜基板上包括透明基板黑矩阵、彩膜层和公共电极，阵列基板依次包括基板、扫描线、数据线、薄膜晶体管和像素电极。将阵列基板和彩膜基板对盒封装之后，彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置，以遮挡从阵列基板上的薄膜晶体管、扫描线和数据线位置处的漏光。然而，由于实际生产中的设备精度和工艺条件的限制，彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的薄膜晶体管、扫描线、数据线很难精确对应，或者在使用液晶面板的时候，外力的冲击也可能造成彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的薄膜晶体管、扫描线、数据线之间的偏离，都可能导致漏光；现有技术中，可以通过增大黑矩阵的面积来避免阵列基板上的薄膜晶体管、扫描线、数据线位置处的漏光产生的缺陷，但是，增大黑矩阵的面积将导致液晶面板的开口率减小，液晶面板的显不売度低。并且，阵列基板也是OLED显示面板，电子纸显示面板等显示面板的必要组成部分，当这些显示面板需要在上基板(指与阵列基板相对设置的另一基板)上设置黑矩阵时，同样存在上述黑矩阵造成的问题。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种阵列基板及其制造方法和显示装置，用于解决现有技术中液晶面板等显示面板的开口率小、显示亮度低的问题。为此，本专利技术提供一种阵列基板，包括基板，以及在所述基板上形成的薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极和钝化层，所述薄膜晶体管的栅极和源极分别与所述扫描线和数据线连接，所述薄膜晶体管的漏极与所述像素电极连接，其特征在于，所述阵列基板还包括黑矩阵，所述黑矩阵与所述薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置。 其中，所述黑矩阵设置在所述钝化层上。其中，所述黑矩阵设置在所述钝化层与所述基板之间。其中，所述黑矩阵和所述像素电极交错设置。进一步地，所述阵列基板还包括公共电极，其中，所述公共电极位于所述像素电极的上方或者下方，所述公共电极和所述像素电极中位于上方的为狭缝状。此时为ADS型阵列基板。本专利技术还提供一种显示装置，其中包括上述的阵列基板。本专利技术还提供一种阵列基板的制造方法，包括在基板上制备薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极和钝化层，其中，所述制造方法还包括在所述基板的上方制备黑矩阵，所述黑矩阵与所述扫描线、数据线和薄膜晶体管对应设置。其中，所述在所述基板上方制备黑矩阵包括步骤1、在制备栅极、栅绝缘层、有源层、源/漏电极和数据线的基板上沉积钝化层、黑矩阵层和光刻胶层；其中，所述黑矩阵层和所述光刻胶层为具有相同光感应特性的光刻胶材料；步骤2、通过灰色调掩膜板或半色调掩膜板对完成步骤I的基板进行构图工艺以得到过孔，然后灰化去除像素电极区域上的光刻胶和黑矩阵层，同时在基板的其余位置保留预设厚度的光刻胶层；步骤3、在完成步骤2的基板上沉积透明导电层，利用离地剥离(lift off)工艺剥离掉保留的光刻胶层以及其上的透明导电层，形成像素电极的图形并露出黑矩阵。其中，所述步骤2包括步骤21、利用灰色调掩膜板或半色调掩膜板对所述黑矩阵层和光刻胶层进行曝光和显影处理，形成光刻胶半保留区、光刻胶完全去除区和光刻胶完全保留区，其中，光刻胶半保留区对应像素电极区域，光刻胶完全去除区对应过孔区域，光刻胶完全保留区对应黑矩阵层区域，所述光刻胶半保留区域的光刻胶被完全去除，所述光刻胶完全去除区的光刻胶和黑矩阵被完全去除；步骤22、刻蚀所述光刻胶完全去除区的钝化层形成过孔的图形；步骤23、对完成步骤22的基板进行灰化处理，控制灰化处理时间以去除像素电极区域上的黑矩阵层，同时在基板的其余位置保留预设厚度的光刻胶层。其中，所述黑矩阵层和所述光刻胶层为具有相同光感应特性的光刻胶材料，具体为所述黑矩阵层和光刻胶层均为负性光刻胶材料沉积得到。其中，所所述在所述基板上方制备黑矩阵包括在所述阵列基板的基板和钝化层之间的任意位置沉积黑矩阵层；对所述黑矩阵层进行光刻以得到黑矩阵。其中，所述阵列基板的制造方法还包括在完成所述步骤3的基板上形成公共电极，所述公共电极为狭缝状。本专利技术具有下述有益效果本专利技术提供的阵列基板和显示装置，通过将黑矩阵设置在阵列基板上，并将黑矩阵与薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置，避免了设置在彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的薄膜晶体管、数据线和扫描线之间发生的偏离，解决了由于上述偏离造成的漏光现象，同时也有利于降低黑矩阵的面积，增大液晶面板等显示面板的开口率，提高液晶面板等显示面板的亮度。本专利技术提供的阵列基板的制造方法，通过3次掩膜工艺就可以制备得到设置有黑矩阵阵列基板，黑矩阵与薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置，不仅避免了设置在彩膜基板上的黑矩阵与阵列基板上的薄膜晶体管、数据线和扫描线之间发生偏离而造成的漏光现象，有利于降低黑矩阵的面积，增大液晶面板等显示面板的开口率，提高液晶面板等显示面板的亮度，同时也减少了制备的工艺步骤，提高了制约生产效率的曝光机的利用率，降低了生产成本。附图说明图I为本专利技术一种阵列基板实施例的俯视图；图2为图I中A-A方向的切面图；图3为本专利技术液晶面板实施例的结构示意图；图4为本专利技术阵列基板的一种制造方法实施例的流程图；图5为本实施例中第一产品的结构示意图；图6为本实施例中第二产品的结构示意图；图7为本实施例中第三产品的结构示意图；图8为本实施例中第四产品的结构示意图；图9为本实施例中第五产品的结构示意图；图10为本实施例中第六产品的结构示意图；图11为本实施例中第七产品的结构示意图。具体实施例方式为使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图对本专利技术提供的阵列基板及其制造方法和显示装置进行详细描述。本专利技术实施例提供一种阵列基板，包括基板，以及在基板上形成的薄膜晶体管、扫描线、数据线、像素电极和钝化层，薄膜晶体管的栅极和源极分别与扫描线和数据线连接，薄膜晶体管的漏极与像素电极连接。该阵列基板还包括黑矩阵，该黑矩阵与薄膜晶体管、扫描线和数据线对应设置。其中，对应设置，主要指黑矩阵覆盖薄膜晶体管、扫描线和数据线。下面，以一个典型的实施例具体介绍本专利技术实施例的阵列基板结构 图I为本专利技术一种阵列基板实施例的俯视图，图2为图I中A-A方向的切面图。如图I和图2所示，本实施例中阵列基板包括基板101、薄膜晶体管、像素电极110、扫描线111和数据线112，薄膜晶体管包括栅极102、栅绝缘层103、有源层104a、欧姆接触层104b、源极105、漏极106。具体地，在基板101上制备有栅极102、栅绝缘层103、有源层104a、欧姆接触层104b、源极105、漏本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐传祥，薛建设，孙雯雯，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：