新型衬底屏蔽层的片上变压器结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种新型衬底屏蔽层的片上变压器结构。本实用新型专利技术包括片上变压器，在片上变压器的正下方设置有多层衬底屏蔽层；所述的衬底屏蔽层由矩形金属条和多根形状相同的金属栅条组成，所述的金属栅条与矩形金属条垂直设置，金属栅条之间等间距平行设置。本实用新型专利技术的新型衬底屏蔽层的片上变压器结构能实现更好的衬底隔离，减小衬底损耗，并且通过多个衬底屏蔽层能实现电容功能。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于微波
，涉及ー种新型衬底屏蔽层的片上变压器结构。
技术介绍
近年来，有关将CMOSエ艺在射频技术中应用的可能性研究大量增多，尤其是深亚微米的CMOS技术在IOGHz以下的某些领域已经能同传统的GaAs微器件一争高下，这无疑推动了 CMOS电路的发展。利用CMOS标准エ艺实现在一块芯片上的数字、模拟及部分射频部分的集成，不仅可以大大降低制造成本，而且可以实现各种不同的功能。这也迎合了全球通讯市场的迅猛发展中，无线通信系统对减小芯片尺寸，降低制作成本以及缩短研发周期的要求。故而，近年来应用于通信系统中的微波单片集成电路得到了空前的高速发展，而变压器作为RFIC与MMIC中极为重要的无源器件，通常被应用与低噪声放大器、压控振荡器、双平衡混频器、功率放大器等电路中，以此来实现阻抗匹配、差分与单端信号转换，交流耦合及増加带宽等。与数字集成电路和低频电路不同，射频集成电路广泛使用无源元件。由于受到エ艺的限制，集成无源元件的性能远低于分立元件，而且对射频集成电路来说，电路性能在很大程度上受限于无源元件。因此，在エ艺允许的情况下，通过尺寸或者版图设计尽可能提高集成无源元件的性能，对本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：文进才，孙玲玲，章南，苏国东，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：实用新型
国别省市：