晶圆台制造技术

本发明专利技术公开了一种晶圆台，所述晶圆台包括：电机；金属盘，金属盘与电机相连由电机驱动旋转，金属盘设有沿上下方向贯通金属盘的通气孔，其中通气孔的中心线、金属盘的中心线和金属盘的旋转轴线重合；非金属盘，非金属盘设在金属盘的上表面上，非金属盘的上表面上设有凹槽，凹槽与通气孔连通；旋转接头，旋转接头设在金属盘的下表面上，其中旋转接头的旋转部分与通气孔相连且旋转接头的静止部分适于与真空产生器相连以便对通气孔和凹槽抽真空；和升降装置，所述升降装置绕所述金属盘设置用于升降所述晶圆。通过利用根据本发明专利技术实施例的晶圆台，可以使电涡流传感器更加准确地测量晶圆的膜厚度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，具体而言，涉及一种晶圆台。
技术介绍
随着集成电路(IC)制造技术的发展，晶圆的直径达到300mm以上，特征线宽已达到45nm以下，因此对晶圆全局平坦化的均勻性要求越来越高。每执行一次化学机械抛光平坦化工艺之后，都需要对晶圆的全局均勻性进行测量，即需要测量晶圆上各个点的膜厚。 电涡流方法是一种非接触的金属膜厚测量方法，能够对纳米级膜厚进行快速的全局测量。 利用已有的晶圆台测量晶圆的膜厚时，晶圆台会对电涡流传感器的电涡流信号产生电磁干扰，这造成对晶圆的膜厚的测量结果不准确。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种可以使电涡流传感器更加准确地测量晶圆的膜厚度的晶圆台。为实现上述目的，根据本专利技术的实施例提出一种晶圆台，所述晶圆台包括电机； 金属盘，所述金属盘与所述电机相连由所述电机驱动旋转，所述金属盘设有沿上下方向贯通所述金属盘的通气孔，其中所述通气孔的中心线、所述金属盘的中心线和所述金属盘的旋转轴线重合；非金属盘，所述非金属盘设在所述金属盘的上表面上，所述非金属盘的上表面上设有凹槽，所述凹本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：路新春，赵德文，赵乾，沈攀，何永勇，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：