用于晶圆与机台指派的系统技术方案

本文揭示一种用于晶圆与机台指派的系统，且此系统包括与制造执行系统耦接的制程条件数据库、与调度系统耦接的调度规则数据库、至少一个处理器、至少一个记忆体(包括一或更多个程序的计算机程序代码)，此至少一个记忆体及计算机程序代码经配置以利用至少一个处理器引发系统进行下列操作：判断在制程条件数据库中是否存在具有一或更多个制程条件的任何半成品(WIP)信息；判断在调度规则数据库中是否存在调度规则；基于制程条件及调度规则中的至少一者产生机台与晶圆关系；利用机台与晶圆关系分别将一或更多个晶圆指派给一或更多个机台。

【技术实现步骤摘要】

本揭示内容是有关于一种机台指派的系统，且特别是有关于一种将晶圆指派给机台的系统。
技术介绍
在半导体制程中，集成电路(integratedcircuit；IC)装置以由下而上的制造方式形成于连续材料层中。制程使用多种处理与量测机台(tool)及技术来形成各种层状特征，包括各种沉积技术及热生长技术。处理机台执行各种处理功能，且这些处理功能是如供制造半导体装置的配方所界定。在晶圆厂(fab)中，晶圆移送是通过自动化系统所控制，而将半成品(work-in-progress；WIP)馈送至机台的方法则通过周期性而非适时触发的代理器来进行。
技术实现思路
本揭示内容的一实施方式是关于一种系统，其包含一制程条件数据库、一调度规则数据库、至少一个处理器以及至少一个记忆体。制程条件数据库与一制造执行系统耦接。调度规则数据库与一调度系统耦接。上述记忆体包括一或更多个程序的计算机程序代码，且上述记忆体与计算机程序代码经配置以利用上述处理器引发系统进行下述操作：判断在该制程条件数据库中是否存在具有一或更多个制程条件的任何半成品(WIP)信息；判断在调度规则数据库中是否存在一调度规则；基于上述制程条件及调度规则中的至少一者产生一机台与晶圆关系；以及利用机台与晶圆关系分别将一或更多个晶圆指派给一或更多个机台。附图说明本揭示内容的态样在结合随附图式阅读时自以下详细描述得以最佳理解。应注意，根据工业中的标准实务，并未按比例绘制各特征。事实上，为了论述清楚，可任意增加或减小各特征的尺寸。图1是根据本揭示内容的一些实施例的机台与晶圆的方块图；图2是根据一些实施例如图1所示将晶圆指派给机台的方法流程图；以及图3是根据本揭示内容的一些实施例的如图1所示将晶圆指派给机台的系统方块图。具体实施方式以下揭露内容提供许多不同实施例或实例，以便实施所提供的标的的不同特征。下文描述组件及排列的特定实例以简化本揭示内容。当然，这些仅为实例且不欲视为限制性。举例而言，在下文的描述中，第一特征形成于第二特征上方或第二特征上可包括以直接接触形成第一特征与第二特征的实施例，且亦可包括可在第一特征与第二特征之间形成额外特征以使得第一特征与第二特征可不均在直接接触的实施例。另外，本揭示内容可在各实例中重复元件符号及/或字母。此重复是出于简化与清楚目的，且本身并不指示所论述的各实施例及/或配置之间的关系。本说明书中所用的术语一般具有本
中及每一术语所使用的特定上下文中常见的含义。本说明书中的实例(包括本文所论述的任何术语的实例)的使用仅为说明性，且绝不限制本揭示内容或任何例示性术语的范畴及含义。同样，本揭示内容不受限于本说明书中给出的各实施例。参看图1，图1图示根据本揭示内容的一些实施例的机台(tool)111～115(例如，半导体制造设备)及晶圆(lot)121～123。应注意，图1图示三个晶圆及五个机台。然而，出于说明性目的给出上文所论述的数目。任何数目的晶圆及机台均在本揭示内容所涵盖的范畴内。半导体集成电路(IC)企业(诸如半导体晶圆铸造)经由多个制造场所(例如，晶圆厂)向顾客提供各种IC制造服务。当将诸如晶圆121～123(处理中的一批晶片)的物件自一个制造场所移送至另一场所时，跨设备操作需要各种处理步骤。机台111～115是用以对晶圆121～123执行半导体制程以便半导体制造。在一些实施例中，半导体制造涉及对晶圆执行相对较大数目的制程步骤，以便产生所需半导体集成电路(IC)。制程是一连串多步骤的光微影与化学处理步骤，在其间电子电路逐步于半导体材料组成的晶圆上产生。上述各种处理步骤分成许多类别，包括沉积、移除、图案化及电气特性的调整(亦即，掺杂)。沉积是生长、涂覆或以其他方式将材料移送至晶片上的制程。沉积制程或技术的一些实例包括物理气相沉积(physicalvapordeposition；PVD)、化学气相沉积(chemicalvapordeposition；CVD)、电化学沉积(electrochemicaldeposition；ECD)、分子束磊晶(molecularbeamepitaxy；MBE)、原子层沉积(atomiclayerdeposition；ALD)及类似者。移除是自晶圆成块地或选择性地移除材料的制程且包括蚀刻制程。举例而言，化学机械平坦化(chemicalmechanicalplanarization；CMP)是一种于装置的不同阶层间所用的典型移除制程。图案化制程是成形或稍后所沉积材料的形状的彼等制程。图案化亦称为光微影(lithography)。典型图案化制程包括使用光阻剂材料选择性地遮罩半导体装置的一些部分，使装置曝露于特定光波长中，及随后用显影液冲刷未曝光区域。另一方面，电气特性可通过扩散及/或离子植入使选定区域掺杂来改变，这些制程通常继之以退火制程，诸如熔炉退火或快速热退火(rapidthermalanneal；RTA)，以便活化所植入掺杂剂。图2是根据一些实施例的图1所示的将晶圆121～123指派给机台111～115的方法200的流程图。方法200可适用或可调适用于所有制程世代(Technologynode)。在图2中，方法200包括操作210、操作220、操作230、操作240、操作250、操作260及操作280。上述操作并未以执行操作的顺序叙述。亦即，除非明确指示操作的顺序，否则操作的顺序可互换，且可同时、部分同时或依序执行操作中的全部或部分。方法200的态样可以软件、硬件、固件或上述的组合来实现。举例而言，将方法200的各种操作实施为机器可读取储存装置中有形体现的计算机程序产品，以便通过处理单元执行。方法200的实施例中各种操作是通过计算机处理器执行计算机可读取媒体上有形体现的程序来执行，以通过对输入操作及产生输出来执行功能。计算机可读取媒体为例如记忆体、可传输媒体(诸如压缩光盘、软盘或磁片)，以使得体现方法200的态样的计算机程序载入计算机。计算机程序并不受限于任何特定实施例，且例如可在操作系统、应用程序、前台或后台制程、驱动器或上述的任何组合中加以实施，在单个计算机处理器或多个计算机处理器上执行。另外，方法200的实施例的各操作提供在计算机可读取媒体(诸如记忆体)上产生、生产、接收或以其他方式实施的一或更多个数据结构。在操作210中，判断在制程条件(processconstraint)数据库中是否存在具有一或更多个制程条件的任何半成品(work-in-progress；WIP)信息。制程条件数据库与一制造执行系统(未绘示)耦接。制造执行系统提供关于正在晶圆厂(fab)中处理的晶片的晶圆信息，并通过制造执行系统即时更新制程条件数据库。在一些实施例中，将机台111～115及量测系统操作性地耦接至制造执行系统。制造执行系统控制机台111～115中的处理操作、量测系统中的量测操作，以及额外机台与量测系统，此等额外机台与量测系统是用以在机台111～115的任何一者之前或者之后执行额外制程操作。在一些实施例中，当将移送含有晶片的晶片载体(诸如前端开口晶圆传送盒)时，制造执行系统判断应将晶片载体移送至晶圆厂中的哪个目的地。此判断是基于生产数据。制造执行系统基于对晶圆厂中的即时状态的考虑提供制程条件。举例而言，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于晶圆与机台指派的系统，其特征在于，包含：一制程条件数据库，该制程条件数据库与一制造执行系统耦接；一调度规则数据库，该调度规则数据库与一调度系统耦接；至少一个处理器；以及至少一个记忆体，包括一或更多个程序的计算机程序代码，该至少一个记忆体及该计算机程序代码经配置以利用该至少一个处理器引发该系统：判断在该制程条件数据库中是否存在具有一或更多个制程条件的任何半成品信息；判断在该调度规则数据库中是否存在一调度规则；基于所述制程条件及该调度规则中的至少一者产生一机台与晶圆关系；以及利用该机台与晶圆关系分别将一或更多个晶圆指派给一或更多个机台。

【技术特征摘要】
2015.09.30 US 14/871,8961.一种用于晶圆与机台指派的系统，其特征在于，包含：一制程条件数据库，该制程条件数据库与一制造执行系统耦接；一调度规则数据库，该调度规则数据库与一调度系统耦接；至少一个处理器；以及至少一个记忆体，包括一或更多个程序的计算机程序...

【专利技术属性】
技术研发人员：游仁祈，彭安伟，刘昌宗，叶润生，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71