用于微光刻投射曝光的设备以及用于检查基底表面的设备制造技术

本发明专利技术涉及一种用于微光刻投射照明的设备（１０）。所述设备包括：光学系统（１８），用于通过利用成像辐射（１３）投射掩模结构（１６）而将所述掩模结构（１６）成像到基底（２０）的表面（２１）上，其中所述光学系统（１８）被配置为在ＥＵＶ和／或更高频率的波长范围中操作；以及测量光束路径（３６），用于引导测量辐射（３４），其中所述测量光束路径（３６）在所述光学系统（１８）内延伸，使得在所述设备（１０）的操作期间，所述光学系统（１８）仅部分地被所述测量辐射（３４）辐射。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种用于微光刻投射曝光的设备以及用于确定布置的特性的方法，所 述布置包括用于微光刻投射曝光的设备以及位于所述设备的曝光位置中的基底。本专利技术还 涉及一种用于检查基底表面的设备以及用于确定一布置的特性的方法，所述布置包括此种 类型的检查设备和基底。所述类型的检查设备包括显微镜和例如用于光刻掩模的检查或用 于被曝光晶片的检查的光学检查系统。此外，它们包括用于校准掩模图案化系统的光学系 统(所谓的“配准单元”)，利用配准单元，可以以很高的精度在光刻掩模上测量位置标记。
技术介绍
为了借助于光刻曝光系统对微结构或纳米结构进行高精度成像，知道以所谓晶片 形式的要被曝光的基底的位置和表面形貌或表面特性很重要。为了确定位置，例如使用焦 点传感器，其紧邻基底台，引导测量信号，使得该信号实际掠过基底平面并接着被重新收 回。为了测量基底表面形貌，通常还使用平行于投射光学部件设立的测量光学部件。此种 类型的测量光学部件还被称为“双台(twin stage)”。此种平行设立的测量光学部件与增 加的复杂性相关，因为需要额外的光学部件以及额外的位移级。使用所述类型的度量系统产生困难，特别是对于本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种用于微光刻投射曝光的设备（１０），包括：光学系统（１８），用于通过利用成像辐射（１５）投射掩模结构（１６）而将所述掩模结构（１６）成像到基底（２０）的表面（２１）上，所述光学系统（１８）被配置为在ＥＵＶ和／或更高频率的波长范围中操作；以及测量光束路径（３６），用于引导测量辐射（３４），所述测量光束路径（３６）在所述光学系统（１８）内延伸，使得所述测量光束路径（３６）中包括所述光学系统（１８）的至少两个光学元件（２２），并且在所述设备（１０）的操作期间，所述测量辐射（３４）仅部分穿过所述光学系统（１８）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：汉斯于尔根·曼，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE