【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的各种实例有关用于带电粒子束成像的半导体结构的样品制备技术，例如扫描电子显微镜（sem）成像，以及通过带电粒子束成像检查半导体结构。
技术介绍
1、随着半导体部件等微观结构的不断发展，越来越小、越来越复杂，需要开发及优化用于检查小尺寸微结构的检查系统。半导体部件的开发及生产需要具有高产量的高分辨率计量工具。此外，此类半导体部件的生产技术需要对应的工艺监控。
2、一种用于检查此类部件的半导体结构的方法是扫描电子显微镜（sem），其中使用电子束来扫描样品的表面。为了提高产量，已使用多束扫描电子显微镜（msem），其使用多个电子束进行扫描。此类msem例如在us 7244949 b2及us 2019/0355544 a1描述。也可使用电子束以外的其他带电粒子束（例如离子束）。
3、最近，引入了3d体积图像生成。3d体积图像是通过剖面切片技术产生的，利用带电粒子束系统对集成半导体结构进行切片和成像，以确定半导体结构内预定体积的3d体积图像。这种剖面成像技术包括产生和储存大量2d剖面图像以及将2d剖面图像配准在体...
【技术保护点】
1.一种用于检查半导体结构样品的方法，包含：
2.如权利要求1所述的方法，其中该电连接（64）耦合至参考电位或基板中的一个。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中该至少一个电隔离区域包含多个电隔离区域，并且其中该电连接（64）将所述多个电隔离区域彼此电耦合。
4.如权利要求3所述的方法，其中在提供该电连接（64）之前，所述多个电隔离区域导致多个电容的形成，其中提供该电连接（64）将所述多个电容合并为单个电容。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中提供该电连接（64、971）包含提供沟槽（70、99）以及至少部分使...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于检查半导体结构样品的方法，包含：
2.如权利要求1所述的方法，其中该电连接（64）耦合至参考电位或基板中的一个。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中该至少一个电隔离区域包含多个电隔离区域，并且其中该电连接（64）将所述多个电隔离区域彼此电耦合。
4.如权利要求3所述的方法，其中在提供该电连接（64）之前，所述多个电隔离区域导致多个电容的形成，其中提供该电连接（64）将所述多个电容合并为单个电容。
5.如权利要求1至4中任一项所述的方法，其中提供该电连接（64、971）包含提供沟槽（70、99）以及至少部分使用导电材料（71、971）填充该沟槽（70、99）。
6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中该电连接（64）设置在该待检验区域（60、960）的外部。
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中该半导体结构样品（51、98）包含nand内存结构。
8.如权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：L·S·曼塔，T·科布，H·H·金，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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