照射系统、光刻设备以及形成照射模式的方法技术方案

提供一种光刻设备的照射系统，所述照射系统具有多个反射元件，反射元件布置成接收来自辐射源的辐射，反射元件在不同取向之间是可移动的。在不同的取向中，反射元件引导辐射朝向照射系统的光瞳平面内的反射部件处的不同部位，由此形成不同的照射模式。每个反射元件在将辐射引导朝向光瞳平面处的第一部位的第一取向和将辐射引导朝向光瞳平面处的第二部位的第二取向之间是可移动的，反射元件的第一取向和第二取向由端部限位件限定。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种照射系统、一种包括所述照射系统的光刻设备以及一种形成照射模式的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成与所述IC的单层相对应的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案的转移是通过把图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行的。通常，单个的衬底将包含被连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机，在步进机中，通过将全部图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；和所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向同步地扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。光刻技术被广泛地看作制造IC或其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而， 随着使用光刻技术形成的特征的尺寸不断变小，光刻技术变成对于实现要制造的最小化IC 或其他装置和/或结构更为关键的因素。图案印刷的限制的理论上的估计由用于分辨率的瑞利准则给出，如下式⑴所示其中λ是所用辐射的波长，NA是用于印刷图案的投影系统的数值孔径，kl是依赖工艺的调节因子(也称为瑞利常数)，以及CD是印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(1)可以知道，可以以三种方式获得特征的最小可印刷尺寸的减小减小曝光波长入、 增大数值孔径NA或减小kl的值。为了缩短曝光波长并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5-20nm范围内的波长，例如在13-14nm范围内的波长的电磁辐射。 还提出可以使用具有小于IOnm的波长的EUV辐射，例如在5-lOnm范围内，例如6. 7nm或 6.8nm的波长。这种辐射被称为极紫外辐射或软χ射线辐射。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于由电子存储环产生的同步加速辐射的源。可以使用等离子体产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以产生等离子体的激光器，和用于包含等离子体的源收集器模块。通过引导激光束到燃料，例如合适材料(例如锡)的颗粒或合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽)的束，可以产生等离子体。最终的等离子体发射输出辐射，例如EUV辐射，其使用辐射收集器收集。 辐射收集器可以是镜像的正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器模块可以包括布置用以提供真空环境以支持等离子体的室或包围结构。这种辐射系统通常称为激光产生等离子体(LPP)源。光刻设备通常包括照射系统。照射系统接收来自源的辐射(例如受激激光器或极紫外辐射源)，并提供辐射束(有时称为“投影”束)，其入射至图案形成装置。通过图案形成装置图案化辐射束，然后通过投影系统投影至衬底上。在光刻技术的现有技术中已经知道，通过提供具有合适的照射模式的辐射束可以改善投影到衬底上的图案形成装置的图像。照射模式是在照射系统的以照射系统的光轴或轴线为中心的光瞳平面内辐射束的空间强度分布。在图案形成装置的平面处(照射系统的场平面)这种空间强度分布与入射辐射的入射角的分布(称为辐射的角度强度分布)对应。期望的照射模式可以是例如在光瞳平面内具有中心辐射部分的传统的照射模式，或在光瞳平面内具有一个或多个分离的离轴照射部分的离轴照射模式。因此，光刻设备的照射系统通常包括布置用以引导、成形和控制照射系统内的辐射束的强度分布调整设备，使得可以实现选定的照射模式。现有技术描述了多种强度分布调整设备，其布置用以控制照射束，以便实现想要的照射模式。例如，变焦距-轴棱镜装置(变焦距透镜和轴棱镜的组合)可以用以形成环形照射模式，由此在光瞳平面内的环形强度分布的内部半径和外部半径是可控制的。内部半径和外部半径的大小通常分别由和0。utCT表示。这些数值分别表示内部半径和外部半径相对于与投影系统的数值孔径相对应的半径的比值。可变焦-展像装置通常包括多个折射光学部件，它们是可独立移动的。因此，可变焦-展像装置不适用于EUV辐射(例如，在13. 5nm的辐射或具有5-20nm之间波长的辐射)，因为在这些波长处的辐射在其通过折射材料时被强烈地吸收。空间滤波器可以用于产生照射模式。例如，具有与双极照射模式对应的两个相反的、离轴开口的空间滤波器可以设置在照射系统的光瞳平面内，以便产生双极照射模式。当需要不同的照射模式时，通过不同的空间滤波器可以去除并替换空间滤波器。然而，空间滤波器阻塞辐射束的相当多的部分，由此当辐射束入射到图案形成装置上的时候减小了辐射束的强度。已知的EUV源难以提供足以允许光刻设备有效地操作的强度的EUV辐射。因此， 不希望在辐射束形成照射模式的时候阻塞相当大一部分的辐射束。
技术实现思路
需要提供一种光刻设备，其克服或减轻上述设备的一个或多个缺点。根据本专利技术的第一方面，提供一种照射系统，所述照射系统具有多个反射元件，所述反射元件在将辐射引导朝向光瞳平面内的不同部位的不同取向之间是可移动的，由此形成不同的照射模式，其中每个反射元件在将辐射引导朝向光瞳平面处的第一相关部位的相应的第一取向和将辐射引导朝向光瞳平面处的第二相关部位的相应的第二取向之间是可移动的，反射元件的相应的第一取向和相应的第二取向由端部限位件限定。根据本专利技术的一方面，提供一种光刻设备，包括照射系统，所述照射系统具有多个反射元件，所述反射元件在将辐射引导朝向光瞳平面内的不同部位的不同取向之间是可移动的，由此形成不同的照射模式，其中每个反射元件在将辐射引导朝向光瞳平面处的第一相关部位的相应的第一取向和将辐射引导朝向光瞳平面处的第二相关部位的相应的第二取向之间是可移动的，反射元件的相应的第一取向和相应的第二取向由端部限位件限定。根据本专利技术的一方面，提供一种在照射系统中形成照射模式的方法，所述方法包括将多个反射元件移动至由端部限位件限定的相应的第一取向，在光瞳平面处相关的第一部位处引导辐射以形成第一照射模式，随后移动多个反射元件的至少一部分至由端部限位件限定的相应的第二取向，并且在光瞳平面处相关的第二部位处引导辐射以形成第二照射模式。根据本专利技术的一方面，提供一种照射系统，包括第一和第二反射部件，第一反射部件构造并布置成接收来自辐射源的辐射并将辐射反射朝向第二反射部件，第二反射部件构造并布置成通过朝向用于图案形成装置的照射区域反射入射辐射而用作第二辐射源，第一反射部件具有多个初级反射元件，其中每个初级反射元件在朝向第二反射部件处第一相关部位反射辐射的相应的第一取向和朝向第二反射部件处第二相关部位反射辐射的相应的第二取向之间是可移动的，反射元件的第一取向和第二取向通过端部限位件限定。根据本专利技术的一方面，提供一种光刻设备，包括照射系统，所述照射系统包括第一和第二反射部件，第一反射部件构造并布置成接收来自辐射源的辐射并将辐射反射朝向第二反射部件，第二反射部件构造并布置成通过朝向用于图案形成装置的照射区域反射入射辐射而用作次级辐射源，第一反射部件具有多个初级反射元件，其中每个初级反射元件在朝向第二反射部件处第一相关部位反射辐射的相应的第一取向和朝向第二反射部件本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种照射系统，具有多个反射元件，所述反射元件在将辐射引导朝向光瞳平面内的不同部位的不同取向之间是可移动的，由此形成不同的照射模式，其中每个反射元件在将辐射引导朝向光瞳平面处的第一相关部位的相应的第一取向和将辐射引导朝向光瞳平面处的第二相关部位的相应的第二取向之间是可移动的，所述反射元件的相应的第一取向和相应的第二取向由端部限位件限定。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·鲁普斯特拉，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL