成像光学系统和具有此类型的成像光学系统的用于微光刻的投射曝光设备技术方案

技术编号:7129537 阅读:143 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种成像光学系统(7)具有多个反射镜(M1至M6),其将物平面(5)中的物场(4)成像到像平面(9)中的像场(8)中。成像光学系统(7)具有光瞳遮挡。物场(4)和像场(8)之间的成像光(3)的光束路径中的倒数第一个反射镜(M6)具有用于成像光(3)穿过的通孔(18)。物场(4)和像场(8)之间的成像光(3)的光束路径中的成像光学系统(7)的倒数第二个反射镜(M5)没有用于成像光(3)穿过的通孔。结果,成像光学系统具有多种小像差的可处理组合、可管理的制造以及良好的成像光通过量。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种具有多个反射镜的成像光学系统,其将物平面中的物场成像到像平面中的像场中。此外,本专利技术还涉及具有此类型的成像光学系统的投射曝光设备,用于利用此类型的投射曝光系统制造微结构或纳米结构组件的方法,以及通过此方法制造的微结构或纳米结构组件。
技术介绍
US 2006/023^67Α1和US 2008/0170310A1中公开了说明书开始所提及的类型的成像光学系统。
技术实现思路
本专利技术的目的是开发说明书开始所提及的类型的成像光学系统,从而获得多种小像差的可处理组合,可管理制造、以及良好的成像光通过量。根据本专利技术的第一方面,通过具有权利要求1中所公开的特征的成像光学系统实现此目的。根据本专利技术,认识到在成像质量没有相对大的损失的情况下,可以在光瞳遮挡系统(即具有光瞳遮挡的成像光学系统)中配置具有连续反射面的倒数第二个反射镜,即在倒数第二个反射镜的光学使用区域内没有通孔。这有助于制造具有足够反射镜厚度的该倒数第二个反射镜,还允许在该倒数第二个反射镜的面向像平面的一侧与该像平面之间具有足够大的间距,而同时最小化光瞳遮挡的尺寸。如果该倒数第二个反射镜被布置在相对于其它反射镜较薄的镜体和/或镜载体上,则对制造的该助益尤其重要。根据本专利技术的第二方面,通过具有在权利要求2中公开的特征的成像光学系统实现说明书开头所提及的目的。通过出瞳内由于光瞳遮挡而被遮蔽的面积相对于成像光学系统的出瞳的总面积的比例而产生光瞳遮挡的数值。小于5%的光瞳遮挡使得有光瞳遮挡的成像光学系统可以具有特别高的光通过量。此外,根据本专利技术的小遮挡可以导致对成像光学系统的成像质量 (尤其是对成像对比度)的较小或者可忽略的影响。光瞳遮挡可以小于10%。光瞳遮挡可以例如是4. 4%或4.0%。光瞳遮挡可以小于4%,可以小于3%,可以小于2%,甚至可以小于1 %。成像光学系统的光瞳遮挡可以由反射镜之一预先确定,例如由其通孔或者由其外边界,或者由布置在物场和像场之间的成像光的光束路径中的遮挡光栏或光阑。根据上面所描述的两个方面之一的成像光学系统的反射镜中的至少一个可以具有被设计为不能由旋转对称函数描述的自由形状面的反射面。根据权利要求3的倒数第二个反射镜的工作间距附加地有助于它的制造。该工作间距可以是至少22mm、至少40mm、至少60mm、至少80mm、可以甚至为85mm。甚至可以对工作间距使用更大的值。工作间距被定义为像平面与最接近的反射镜(即投射光学系统的倒数第二个反射镜)的使用反射面的最接近于该像平面的部分之间的间距。像平面是成像光学系统的与倒数第二个反射镜相邻的场平面。根据权利要求4的最大入射角有助于在此反射镜上配置高反射膜。这是有利的,尤其是在使用具有小波长的成像光的情况下,例如DUV(深紫外)、VUV(真空紫外)、或 EUV(极紫外)波长。从而,尤其可以使用具有入射角的小接受带宽并因此具有相应高反射率的多层膜。成像光在光束路径中的倒数第二个反射镜上的最大入射角在成像光学系统的子午面中可以是 34. 5°、30°、25°、20° ,16. 9°、或 159°。根据权利要求5的倒数第二个反射镜的布置使得支撑该倒数第二个反射镜以及倒数第三个反射镜与倒数第二个反射镜之间的成像光束路径部分前方的成像光束路径的反射镜的支撑体可以在设计上相对比较紧凑。作为对此的替代,可以使用根据权利要求6的倒数第二个反射镜的布置。根据权利要求7的、倒数第三个和倒数第六个反射镜背对背的布置导致很好地使用安装空间的成像光学系统的紧凑结构。本质上,也可以使用在单片基体的两个侧上都设置反射面(对应于被取代的反射镜布置的反射镜面)的布置来代替背对背反射镜布置。根据权利要求8的至少一个中间像使得可以引导物场和像场之间的成像光的光束路径的成像光束路径部分靠近地越过成像光学系统的其它组件。特别地,该中间像可以布置在最后一个反射镜的通孔的区域中,这使得可以形成小的光瞳遮挡。成像光学系统也可以具有超过一个中间像,尤其是可以在物场和像场之间的成像光的光束路径中具有两个中间像。多个中间像也可以用于校正像差或简化所涉及的反射镜形状的设计。根据权利要求9的至少一个交叉或相交区域允许紧凑的光束引导。成像光学系统在成像光束路径部分之间也可以具有超过一个此类型的相交区域,尤其是两个、三个或四个相交区域。一个或所有相交区域可以至少部分地彼此空间重叠。相交区域是指在其中成像光束路径部分完全相交。根据定义,在反射镜上的反射中,成像光束路径部分不在此类型的相交区域中相交。根据权利要求10的数值孔径导致成像光学系统的高分辨率。数值孔径可以是至少0.4,也可以是至少0.5。根据权利要求11的矩形场有助于在使用成像光学系统时进行光刻工艺。特别地, 可以通过使用非旋转对称的自由形状面作为成像光学系统的反射镜的反射面而获得此类型的矩形场。至少一个反射镜可以被配置为此类型的自由形状面。像场可以具有2mnD^6mm 或2. 5mmx26mm的维度。当使用成像光学系统作为投射光学系统时,根据权利要求12,特别地体现出了它的优点。根据本专利技术的成像光学系统可以精确地具有6个反射镜。根据本专利技术的投射曝光设备的优点对应于上面关于根据本专利技术的成像光学系统所说明的优点。投射曝光设备的光源在设计上可以是宽带的,例如具有可以大于Inm、大于 IOnm或大于IOOnm的带宽。此外,投射曝光设备可以被设计为使得可以以不同波长的光源操作。可以与根据本专利技术的成像光学系统一起使用针对尤其是用于微光刻的其它波长的光源,例如具有波长365nm、248nm、193nm、157nm、126nm, 109nm的光源,尤其是具有小于IOOnm(例如在5nm和30nm之间)的波长的光源。投射曝光设备的光源可以被构造为产生具有5nm至30nm的波长的照明光。此类型的光源在反射镜需要反射膜,为了满足最小反射率要求,所述反射镜仅具有较小的入射角接受带宽。与根据本专利技术的成像光学系统一起,可以满足对较小的入射角接受带宽的要求。对应的优点适用于根据本专利技术的制造方法以及由此制造的微结构或纳米结构组件。附图说明下面借助于附图更详细地描述本专利技术的实施例,其中图1示例性地示出了用于EUV微光刻的投射曝光设备;图2在子午面中示出了可以用作根据图1的投射曝光设备中的投射透镜系统的成像光学系统的实施例,针对多个选择的场点的主光束以及上和下彗发光束,(虚拟地)示出了成像光束路径;图3至21在类似于图2的视图中示出了成像光学系统的其它实施例。 具体实施例方式用于微光刻的投射曝光设备1具有用于照明光或成像光3的光源。光源2是EUV 光源,其产生例如5nm与30nm之间(尤其是5nm与15nm之间)的波长范围中的光。特别地,光源2可以是具有13. 5nm的波长的光源,或者具有6. 9nm的波长的光源。也可以使用其它EUV波长。通常而言,对于在投射曝光设备1中引导的照明光3,甚至可以使用任何期望的波长,例如可见光波长,或者可以在微光刻中使用并且合适的激光光源和/或LED光源可以获得的其它任何波长(例如365nm、248nm、193nm、157nm、U9nm或109nm)。图1中极其示意性地示出了照明光3的光束路径。照明光学系统6被用于将照明光3从光源2引导到物平面5中的物场4。使用投射光学本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.具有多个反射镜(M1至M6)的成像光学系统(7),所述多个反射镜将物平面(5)中的物场(4)成像为像平面(9)中的像场(8),所述物场(4)和所述像场(8)之间的成像光(3)的光束路径中的最后一个反射镜(M6)具有用于所述成像光(3)通过的通孔(18),其特征在于,-在所述物场(4)和所述像场(8)之间的成像光(3)的光束路径中,在所述像场(8)的前方的成像光束(22)之外布置了所述成像光学系统(7)的倒数第二个反射镜(M5),-所述倒数第二个反射镜(M5)的、在所述倒数第二个反射镜(M5)的光学使用的区域内的反射面没有用于所述成像光(3)穿过的通孔。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:汉斯于尔根曼
申请(专利权)人:卡尔蔡司SMT有限责任公司
类型:发明
国别省市:DE

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