【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及用包含至少一种涂层材料的至少一种涂层涂覆基板的方法，所述涂层材料沉积在基板上或施加在基板上的部分涂层上，并且涉及使用这些方法生产的光学元件。
技术介绍
1、特别是在大约150nm和260nm之间的相对短波紫外波长范围(也称为duv(深紫外)辐射)中，使用具有与金属材料相比导电性差的光学涂层和/或基板的光学元件。关于光学元件的使用寿命，如果光学涂层具有最小的多孔性是有利的。为了在沉积期间降低其孔隙率，可以在离子辅助下进行沉积，例如在de 10 2005 017 742 a1中公开。由于离子辅助，导电性差的基板或施加到其上的涂层可以在非常短的时间内，特别是短于1ms的时间内带电。通常的基板通常是玻璃，例如熔融二氧化硅或氟化钙。然而，即使是标称具有良好导电性的基板(例如金属)，如果它们设置有不导电涂层，则可能受到此影响，该涂层又可能变得带电。特别是在相对较大的光学元件的情况下，充电可能导致在层沉积期间从单个层到单个层以及在待涂覆的区域上的波动条件，这进而例如影响生长层的光学性质。
技术实现思路
1、本本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用包含至少一种涂层材料的至少一种涂层涂覆基板的方法，所述涂层材料沉积在所述基板上或施加在所述基板上的部分涂层上，其特征在于，使电中性颗粒能够用于辅助沉积。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，能够获得能量在50eV和500eV之间，优选在75eV和300eV之间，特别优选在100eV和200eV之间的中性粒子。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，能够以相对于表面法线至多60°、优选至多45°、特别优选至多30°的入射角获得中性颗粒。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，使用一种或多种稀有气
【技术特征摘要】
1.一种用包含至少一种涂层材料的至少一种涂层涂覆基板的方法，所述涂层材料沉积在所述基板上或施加在所述基板上的部分涂层上，其特征在于，使电中性颗粒能够用于辅助沉积。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，能够获得能量在50ev和500ev之间，优选在75ev和300ev之间，特别优选在100ev和200ev之间的中性粒子。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，能够以相对于表面法线至多60°、优选至多45°、特别优选至多30°的入射角获得中性颗粒。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于，使用一种或多种稀有气体作为辅助气体。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，将待施加的涂层的材料的至少一种挥发性元素加入到所述辅助气体中。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中涂覆导电基板，其特征在于，向所述基板施加电压。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，电极相对于颗粒流布置在所述基板的相对侧上。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，在所述基板面向颗粒流的一侧上，至少一个电极沿所述颗粒流的方向布置。
9.一种用至少一种涂层涂覆基板的方法，所述涂层包含至少一种涂层材料，所述涂层材料沉积在所述基板上或施加在所述基板上的部分涂层上，其特征在于，所述基板通过使用...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·赫尔曼，J·埃尔克斯梅尔，
申请(专利权)人：卡尔蔡司SMT有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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