光刻装置及设备制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提出光刻装置及设备制造方法。采用一传感器４检测自一反射器３所辐射的发光射线５，发光射线５是由入射至所述反射器３的一表面３ａ上的所述辐射光束２所引起的状态改变的结果。特定波长的发光射线５的强度可用于确定辐射光束２的强度。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻投影装置，该装置包括一辐射系统，用于提供辐射投影束；一支撑结构，用于支撑图案形成部件，所述图案形成部件根据所希望的图案使所述投影束形成图案；一基片平台，用于保持基片；一投影系统，用于将已形成图案的投影束投影到基片的靶部上；一传感器，用于检测由所述装置的一元件上至少一个表面区域所辐射的发光射线，所述未形成图案的投影束和已形成图案的投影束中的一个穿过所述装置；在所述区域中，根据检测过的发光射线测定所述未形成图案的投影束和已形成图案的投影束中的一个的强度的部件。
技术介绍
这里所用的术语“图案形成部件”可广泛理解为这样的部件，即根据基片的靶部中将要形成的图案，将相应的图案赋予入射的辐射光束的切面；术语“光阀”也可用于该语境中。一般来说，所述图案与靶部中所设立的设备——例如集成电路或其它设备(见下文)——中的特殊功能层一致。这种图案形成部件的实例包括一掩模。光刻中掩模的概念是众所周知的，它包括例如二元型(binary)掩模、交变相移型掩模、衰减相移型掩模，还有各种混合型掩模。根据掩模上的图案，放置在辐射光束中的该掩模促使投射到所述掩模上的辐射光束有选择的透射(就透射型掩模来说)或反射(就反射型掩模来说)。就掩模来说，支撑结构一般为掩模平台，这样确保可将掩模保持在入射辐射光束中所希望的位置处，并且它可以如所希望的那样相对于所述光束移动。一可编程的反射器阵列。该设备的一个实例是具有一粘弹性控制层的矩阵式可寻址表面和一反射表面。这种设备的基本原理是(例如)反射表面的寻址区域将入射光以衍射光的形式来反射，而非寻址区域反射像非衍射光的入射光。采用一个合适的滤光器，所述非衍射光可从入射光束中过滤掉，只剩下衍射光于其中；照这样，光束根据矩阵式可寻址表面的寻址图案变成有图案的光束。可编程的反射器阵列的一个可选择实施例采用超小型反射器的矩阵排列，其中每个反射器通过应用一个适当的局部电场或通过采用压电驱动部件可围绕一轴各自倾斜。再次，反射器是矩阵式可寻址的，使得寻址反射器以不同的方向将入射光束反射至非寻址反射器上；这样，反射光束根据矩阵式寻址反射器的寻址图案形成图案。所必需的矩阵寻址可采用适当的电子部件来进行。上文所述的两种情形中，所述图案形成部件可包含一个以上可编程的反射器阵列。关于这里所指的反射器阵列的更多信息可从例如美国专利US5296891和US5523193，以及PCT专利申请WO98/38597和WO98/33096中获得，此处将其合并引用。就可编程的反射器阵列来说，所述支撑结构可具体化为例如一构架或平台，它可根据需要被固定或移动。一可编程的LCD阵列。这种结构的实例已在美国专利US5229872中给出，此处将其合并引用。同上，这种情况下所述支撑结构可具体化为例如一构架或平台，它可根据需要被固定或移动。为简单起见，本文的其它部分在涉及遮光板和遮光板载板时，在某些位置会直接用具体的实例来代替；但是，在这些实例中所讨论的一般原则在上文所述的于图案形成部件的更广泛的上下文中是可以见到的。例如，光刻的投影装置可用于生产集成电路(IC)。此时，图案形成器会生成与集成电路的个别层对应的电路图案，该图案可以映像到基片(硅片)上的靶部(例如包括一个或多个小片(dies))上，基片已经被涂敷了一层射线敏感材料(保护层)。一般来说，单片的硅片会包含邻近靶部的整个网络，靶部通过投影系统被一个接一个地连续照射。在现有的装置中，在用遮光板载板上的遮光板形成图案时，两种不同类型的机器之间会有差别。在一种光刻的投影装置中，在一次操作中将整个遮光板图案都曝光在靶部上会使每个靶部都被照射到；此类装置通常是指晶片分档器(wafer stepper)。在另一种装置中——通常是指步进扫描(step-and-scan)装置，沿给定的基准方向(扫描方向)渐进扫描投影束下的遮光板图案并同时扫描平行于或反向平行于该方向的基片载板会照射到每个靶部；一般来说，由于投影系统具有放大因子M(一般小于1)，因此扫描基片载板的速度V是扫描遮光板载板的速度的M倍。关于此处所述的光刻装置可以从US6046792中收集到更多的信息，此处将其合并引用。在使用光刻的投影装置的生产工艺中，图案(例如在遮光板中)被映像到至少部分覆盖有辐射敏感材料层(保护层)的基片上。在该映像步骤之前，基片可以历经各种程序，例如涂底料、涂保护层和软烘干。曝光之后，基片还可以历经其它的程序，例如曝光后烘干(PEB)、显影、硬烘干以及图案特点的测定/检测。这一套程序是在设备例如集成电路的单层上形成图案的基础。形成图案后的该层接下来可以历经各种程序，例如蚀刻、离子注入(搀杂)、镀金属、氧化、化机法抛光、等等，这些都是为了整饰单层。如果需要几个层，那么对每个新层都必须重复整个程序或其变种。最后，基片(晶片)上会呈现出各设备的集合。然后用例如切割或锯的办法将这些设备一个一个地分开，由此，单个的设备可以安装在载体上、连接到定位销上、等等。关于这些程序的其它的信息例如可以从《微芯片制作半导体加工实用指南》(第三版，Peter vanZant著，McGraw Hill出版公司，1997，ISBN0-07-067250-4)一书中得到，此处将其合并引用。为简单起见，下文中所述投影系统指的是“透镜”；但是，该术语应广泛理解为包含各种类型的投影系统，例如包括折射光系统、反射光系统以及折反射光系统。辐射系统也可包括根据任何这些用于定向、成形和控制辐射投影束的图案类型而操作的部件，这样的部件也可在下文中统称或单独称为“透镜”。此外，所述光刻装置可以为具有两个以上的基片平台(和/或两个以上的掩模平台)的类型。在这种“多级”设备中可平行使用附加的平台，或者可在一个以上的平台上完成预备步骤同时使用一个以上的平台是用于曝光。例如在US5969441和WO98/40791中所描述的两级式光刻装置作为参考被并入此处。为确保保护层接受正确的照射剂量，在曝光过程中控制基片水平面辐射束的强度很重要。不幸的是，曝光过程中不改变强度或不改变强度的分布(均匀性)，强度测量是很难进行的。所以在传统的光刻装置中，为使干扰最小化一般可将传感器结合使用——第一传感器通常与基片平台相连，因此在曝光过程中它可定位于用于测量的光束中；第二传感器位于光径中的一适当位置，例如安装于一反射器的一部分上，以测量曝光过程中局部光束的强度。在曝光过程中采用第一传感器，可以很精确地测量光束强度和光束强度分布，所述装置的特征可通过测量相对强度来进行分析，该相对强度是在不同的条件下由不同的传感器测定的。然后该数据可用于预测仅由第二传感器测量时基片水平面的强度。其缺点就是由于第二传感器的存在而使强度中总存在干扰。另外，所述装置中的其中一个反射器可部分地镀银，以允许一部分入射的辐射穿过发射器到达反射器后面的一传感器，或可将一部分光束重定向至一传感器。这个固有的排列降低了投影束的强度，而该投影束又降低了整个装置中的强度。由于EUV反射器很容易无效，因而采用EUV辐射的装置对该问是特别敏感。用于EUV辐射的高反射率反射器不是普遍有效的。此外，在应用EUV辐射的光刻投影装置中，投影束在一真空系统中被辐射可防止强度的损耗。所以光束强度传感器也必须设置在真空系统本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻投影装置，包括：一用于提供辐射投影束的辐射系统；一用于支撑图案形成部件的支撑结构，所述图案形成部件根据所希望的图案使投影束形成图案；一用于保持一基片的基片平台；一用于将已形成图案的投影束投射于所述基片 的一靶部上的投影系统，一用于检测发光射线的传感器，该发光射线由所述装置的一元件上的至少一个表面区域所辐射，所述未形成图案的投影束和已形成图案的投影束中的一个穿过所述装置，在所述区域中，根据检测过的发光射线测定所述未形成图案的 投影束和已形成图案的投影束中的一个的强度的部件，　其特征在于：所述传感器检测来自于所述元件的若干表面区域的所述发光射线，所述未形成图案的投影束和已形成图案的投影束入射于所述元件上；在每个所述区域中用于测定所述光束强度 的所述部件测定所述投影束和已形成图案的光束中的一个的强度。

【技术特征摘要】
EP 2002-8-30 02256037.91.一种光刻投影装置，包括一用于提供辐射投影束的辐射系统；一用于支撑图案形成部件的支撑结构，所述图案形成部件根据所希望的图案使投影束形成图案；一用于保持一基片的基片平台；一用于将已形成图案的投影束投射于所述基片的一靶部上的投影系统，一用于检测发光射线的传感器，该发光射线由所述装置的一元件上的至少一个表面区域所辐射，所述未形成图案的投影束和已形成图案的投影束中的一个穿过所述装置，在所述区域中，根据检测过的发光射线测定所述未形成图案的投影束和已形成图案的投影束中的一个的强度的部件，其特征在于所述传感器检测来自于所述元件的若干表面区域的所述发光射线，所述未形成图案的投影束和已形成图案的投影束入射于所述元件上；在每个所述区域中用于测定所述光束强度的所述部件测定所述投影束和已形成图案的光束中的一个的强度。2.根据权利要求1所述的一种光刻投影装置，其特征在于所述元件为一反射器，所述传感器不在所述未形成图案的投影束和已形成图案的投影束中的一个的入射路径或反射路径中。3.根据前面任何一个权利要求所述的一种光刻投影装置，其特征在于所述元件为一形成分布式Bragg反射器的多层堆。4.根据前面任何一个权利要求所述的一种光刻投影装置，其特征在于所述元件为设置在所述投影系统和辐射系统其中一个内的一反射器。5.根据前面任何一个权利要求所述的一种光刻投影装置，其特征在于所述元件为第一反射器，所述未形成图案的投影束入射至该第一反射器上。6.根据前面任...

【专利技术属性】
技术研发人员：MMTM迪里奇斯，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]