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光刻设备,设备清洁方法,装置制造方法和由该方法制造的装置制造方法及图纸

技术编号:3212370 阅读:130 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及光刻设备,设备清洁方法,设备制造方法和由该方法制造的设备。其中在一低压环境中,一个电压被施加在靠近表面的工具尖端和所述表面之间。所述表面上的污染物被吸引并附着在工具上。一激光器可被用来就地清洁光刻投影设备中的元件。(*该技术在2023年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光刻投影设备,包括射线系统,用于提供射线投影光束;用来支撑图形化装置的支持结构,该图形化装置用来根据所需的图形将投影光束图形化;用来支持基底的基底台;和投影系统,用来将已图形化的光束投射到基底的目标部分。
技术介绍
术语“图形化装置”在这里可以概括地解释为是指一种可用于使入射的射线束具有成一定图形的横截面,该成一定图形的横截面对应于要在基底的目标部分上形成的图形;在本说明的情况下也可以使用术语“光阀”。总的来说,所述的图形与要在目标部分上形成的器件(例如在集成电路或其他装置上(见下文))的一个特定功能层相对应。这样的图形化装置的例子包括掩模。掩模的概念在光刻技术中是众所周知的,包括多种掩模类型,如二元型的(binary)、交替相移型的和减薄相移型的,还有许多混合掩模类型。在射线束中安置这样的掩模能够根据掩模上的图形引起选择性的透射(在透射型掩模的例子中)或者反射(在反射型掩模的例子中)冲击掩模的射线。在掩模的情况下,支撑结构通常是一个掩模台,其保证掩模在入射射线束中被固定在所需位置,如果需要掩模也可以相对光束移动。可编程的镜面阵列。这种装置的一个例子就是可寻址阵列的表面,该表面有粘弹性的控制层和反射表面。这样的装置背后的基本原理就是(例如)反射表面的被寻址区域将入射光作为衍射光反射,反之,未被寻址的区域将入射光作为非衍射光反射。用一适当的滤光器可将非衍射光从反射光束中滤掉,仅剩下衍射光;用这种方法,光束根据可寻址矩阵的表面上的寻址图形被图形化。一个可选择的可编程镜面阵列的例子是采用众多微小的镜面组成的阵列,通过施加一个适当定位电场或者通过采用压电激励装置,其中的每一个镜面都可以绕一个轴各自倾斜。镜面再一次成为可寻址矩阵,这样被寻址的镜面以一个与未被寻址镜面不同的方向反射入射的射线束;用这种方式,被反射的光束可根据可寻址矩阵镜面的寻址图形形成图形。所需的可寻址矩阵可以通过适当的电子装置得到。在上述两种情形中,图形化装置可包括一个或者更多的可编程镜面阵列。有关这里提到的镜面阵列的更多信息可以在下面得到,例如从美国专利US5296891和US5523193,以及PCT专利申请WO98/38597和WO98/33096,这里将这些文献引作参考。在可编程镜面阵列的情况下,所述的支撑结构可以采用框架或者是台面,例如它可以按需要被固定或者移动。可编程的LCD阵列。这种结构的一个例子在美国专利US5229872中给出,这里将其引作参考。如上所述,在这种情况下支撑结构可以采用框架或者台面,例如,它可以按需要固定或者移动。为了简单起见,本文余下的部分中的某些地方将会特别提到一些涉及掩模和掩模台的例子;然而,在这些例子中讨论的基本原理应当在上述图形化装置的更宽环境中考虑。光刻投影设备可用于,例如,制造集成电路(IC)。在这种情况下,图形化装置可产生对应于IC的一个层的电路图形,这一图形可被成像在基底(硅晶片)的一个(例如包括一个或者更多管芯的)目标部分上,基底上被涂上一层辐射敏感材料(抗蚀剂)。通常,一单个晶片要包括一个由相邻的目标部分组成的整个网络,目标部分可通过投影系统依次一次一个地辐射。目前的设备利用掩模台上的掩模来形成图形,两种不同类型的机器之间会有差别。在一种类型的光刻投影中,通过将整个掩模图形一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分;这样的设备通常称为晶片步进机。在另外一种通常被称为步进与扫描设备的设备中,通过沿一个给定的参考方向(“扫描”方向)在投影束下逐步地扫描掩模图形同时沿平行或反平行方向同步地扫描基底台来对每个目标部分进行辐射;因为一般来说,投影系统将具有一个放大系数M(通常<1),对基底台扫描的速度V将是对掩模台扫描的速度的M倍。这里说明的有关光刻设备的更多信息可以从美国专利US6046792获得,这里将其引作参考。在用光刻投影设备制造的过程中,一定的图形(例如在掩模上)被成像到至少被一层辐射敏感材料(抗蚀剂)部分地覆盖的基底上。在成像这一步骤之前,基底还要经过多个工序,例如涂底、涂抗蚀剂和软焙烘。曝光后基底可经历其他的过程,例如曝光后焙烘(PEB)、显影、硬焙烘和成像特征的测量/检查。这一系列的步骤作为将设备如IC的一个层图形化的基础。这样一个形成了图形的层还要经历多个工序,如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等,所有的步骤都是为了完成一个层。如果需要几个层,那么为了每一个新层,上述整个过程或者其中某一个步骤将不得不重复。最后,一组元件将设在基底(晶片)上。用切割或锯开等技术将这些元件彼此分开,每一个元件都可被安装在一个与插脚相连的载体上。有关于工序的更多的信息例如可以从“Microchip FabricationA Practical Guide to SemiconductorProdessing”,Thind Edition,by Prter van Zant,McGraw HillPublishingCo.,1997,ISBN 0-07-067250-4,这里将其引作参考。为简单起见,在下文中投影系统将被称为“透镜”;然而这个词应该被广泛的理解为包括多种投影系统,例如包括折射光学系统,反射光学系统和兼有反射和折射的系统。辐射系统还可以包括根据任一这些设计类型工作的元件,用来指引、成形或者控制射线束的投射,上述组成成分将在下文总体的或者单独提到,如“透镜”。更进一步,光刻设备可能是有两个或者更多的基底台(和/或两个或者更多掩模台)的类型。在这种“多阶段(multiple stage)”装置中,另外的台在平行的方向上使用,或者在一个或者更多的台子上进行预备步骤,另外的一个或者更多的台子用来曝光。双阶段光刻设备在US5969441和WO98/40791中有所描述,在此引作参考。虽然光刻设备要在清洁的房间中运行,用清洁的空气清洗,设备上的污染物根据不同的地点和污染物的类型能引起不同的问题。例如,由清洁的房间或者制造、运输和存储掩模而带来的无机污染物能引起部分地吸收透射光束,从而导致剂量错误和不适当的掩模特征成像,甚至在原本应当是空白区域留下印刷痕迹。在基底台上的微粒能使基底变形,从而导致局部的聚焦错误(已知如热点)。除了掩模和基底周围的空气和设备等,污染源包括在曝光期间由投射束和由设备可移动的部分之间的机械连接从基底飞溅出的抗蚀剂碎片,这会引起微粒从接触面上被移去。为了将由污染引起的错误降低到最小,设备的敏感的部分,如掩模,掩模台和基底台,要定期地清洁。通常这是一个耗时的手工作业,例如,清洁一个基底台要花费两个小时或者更多时间,这将引起设备一个不受欢迎的停工期,并且只能由熟练的工人进行。有时手工清理没能清除污染物,必须重复进行。有选择地清洁有斑点的台在EP-1093022-A中有所描述,其利用的是研磨工具或者未指定方式的电磁辐射。US6249932中披露了一种用手工清洁头清洁光刻投影设备中的台的方法,其利用的是吹空气和真空吸尘器。多种清洁基底的方式已经是公知的了,参见WO02/053300和WO 02/42013,但是这些都需要将基底放在一个特殊的机器上。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种改进的方法和设备,用于将就地清洁光刻设备的元件。此目的和其他的目本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种光刻投影设备,包括: 射线系统,用于提供一射线投影光束; 用来支持图形化装置的支持结构,该图形化装置用来根据所需的图形将投影光束图形化; 用来支持基底的基底台;和 投影系统,用来将已图形化的光束投射到基底的目标部分上, 其特征在于: 包括清洁装置,其用于就地清洁光刻设备的元件, 所述清洁装置包括: 污染物分离装置,其利用电磁场使污染物从要被清洁的元件表面分离;和 将已分离的污染物从所述装置除去的污染物去除装置。

【技术特征摘要】
EP 2002-1-18 02250345.21.一种光刻投影设备,包括射线系统,用于提供一射线投影光束;用来支持图形化装置的支持结构,该图形化装置用来根据所需的图形将投影光束图形化;用来支持基底的基底台;和投影系统,用来将已图形化的光束投射到基底的目标部分上,其特征在于包括清洁装置,其用于就地清洁光刻设备的元件,所述清洁装置包括污染物分离装置,其利用电磁场使污染物从要被清洁的元件表面分离;和将已分离的污染物从所述装置除去的污染物去除装置。2.如权利要求1所述的设备,其中所述污染物分离装置包括一个激光设备,用来将清洁辐射光束射向所述要被清洁的元件的表面,以烧蚀和/或热去除其上的污染物。3.如权利要求2所述的设备,其中所述的激光设备包括用于改变清洁光束角度的光束扫描装置,以扫描所述要被清洁的表面。4.如权利要求2或3所述的设备,其中所述的激光设备被用来发出作为所述清洁光束的脉冲光束,所述的脉冲光束最好包含持续时间小于100毫微秒的脉冲。5.如权利要求2、3或4所述的设备,其中所述的激光设备被用来改变所述清洁光束的波长。6.如权利要求2、3、4或5所述的设备,其中所述的激光设备被用来发射作为所述清洁光束的平面偏振光束,并且最好将所述平面偏振光以小于或者等于布鲁斯特角的角度射到所述表面。7.如上面任何一个权利要求所述的设备,其中所述污染物去除装置包括真空泵,用来抽走被分离下的污染物。8.如权利要求7所述的设备,其中还包括冲刷气体装置,其用于将惰性冲刷气体提供到要被清洁的表面附近。9.如上述任一权利要求所述的设备,其中所述的污染物分离装置包括用于在要被清洁的元件的周围提供非电离环境的装置;可设置在要被清洁的元件附近的清洁工具;和电压源,用来在要被清洁的元件与清洁工具之间提供电势差;因而所述清洁装置被构造和设置成可清洁所述要被清洁的元件。10.如权利要求9所述的设备,其中所述用来提供非电离环境的装置包括用来排空容纳所述元件的空间的装置。11.如权利要求9或10所述的设备,其中所述的用来提供非电离环境的装置包括气体供应装置,用于向所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:GJ赫伦斯SNL当德斯FACJ斯潘杰斯ALHJ范米尔TJM卡斯坦米勒
申请(专利权)人:GJ赫伦斯SNL当德斯FACJ斯潘杰斯ALHJ范米尔TJM卡斯坦米勒
类型:发明
国别省市:NL[荷兰]

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