光刻设备制造技术

一种设备、设计所述设备的方法、使用所述设备的工具以及在集成电路形成期间将所述设备用于优化光刻的方法。所述设备包含：非对称互补偶极元件（１１５），其包含：第一和第二开口（２１５Ａ，２１５Ｂ），与第一轴（ｘ）等距离并且是关于所述第一轴的镜像图像，所述第一和第二开口具有基本上相同的第一面积和相对于选择的光波长的相同的第一光密度；第三和第四开口（２２０Ａ，２２０Ｂ），与第二轴（ｙ）等距离并且是关于第二轴的镜像图像，所述第三和第四开口具有基本上相同的第二面积和相对于所述选择的光波长的相同的第二光密度；以及其中所述第一轴与所述第二轴垂直，并且所述第一和第二光密度不同。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术通常涉及集成电路制造领域；以及更具体而言涉及设备、设计该设备的方法、使用该设备的工具以及在集成电路形成期间将该设备用于优化光刻的方法。
技术介绍
最前沿的集成电路技术需要光刻邻近其理论分辨率极限操作。虽然已经提出许多达成此目的的方法，不过除非印刷图像的长对宽比率非常高，否则无法达成紧密图像尺寸控制的目标，并且在相同曝光范围内具有最小尺寸的图像与具有显著大于最小尺寸的图像的混合时，会遭遇更多折衷。因此，本领域存在对于减轻或消除上述缺陷与限制的需求。
技术实现思路
本专利技术的第一方面为一种光刻设备，包含非对称互补偶极元件，其包含第一和第二开口，与第一轴等距离并且是关于所述第一轴的镜像图像，所述第一和第二开口具有基本上相同的第一面积和相对于选择的光波长的相同的第一光密度；第三和第四开口，与第二轴等距离并且是关于第二轴的镜像图像，所述第三和第四开口具有基本上相同的第二面积和相对于所述选择的光波长的相同的第二光密度；以及其中所述第一轴与所述第二轴垂直，并且所述第一和第二光密度不同。本专利技术的第二方面为一种用于在光致抗蚀剂层上提供光图形的方法，包含使具有选择的波长的光通过非对称互补偶本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种光刻设备，包含：非对称互补偶极元件，其包含：第一和第二开口，与第一轴等距离并且是关于所述第一轴的镜像图像，所述第一和第二开口具有基本上相同的第一面积和相对于选择的光波长的相同的第一光密度；第三和第四开口，与第二轴等距离并且是关于第二轴的镜像图像，所述第三和第四开口具有基本上相同的第二面积和相对于所述选择的光波长的相同的第二光密度；以及其中所述第一轴与所述第二轴垂直，并且所述第一和第二光密度不同。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·克拉斯诺佩洛瓦，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US