光刻设备制造技术

技术编号:3187103 阅读:178 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种光刻设备,适于对于基板进行光刻工艺。此光刻设备包括光刻胶涂布及显影装置、曝光装置以及气浮输送装置,其中基板自光刻胶涂布及显影装置移出时,基板具有第一温度范围。气浮输送装置设置于光刻胶涂布及显影装置与曝光装置之间,而气浮输送装置适于将基板输送至曝光装置。气浮输送装置所喷出的气体具有第二温度范围,其中第二温度范围为第一温度范围之部分。基于上述,本发明专利技术之光刻设备所形成的图案的变化量能够缩小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种显像设备,且特别涉及一种光刻设备
技术介绍
由于显示器的需求与日剧增,因此业界全力投入相关显示器的发展。其中,又以阴极射线管(Cathode Ray Tube)因具有优异的显示质量与技术成熟性,因此长年独占显示器市场。然而,近来由于绿色环保概念的兴起对于其能源消耗较大与产生辐射量较大的特性,加上产品扁平化空间有限,因此无法满足市场对于轻、薄、短、小、美以及低消耗功率的市场趋势。因此,具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)已逐渐成为市场主流。以薄膜晶体管液晶显示模块(TFT-LCD module)而言,其主要是由液晶显示面板(liquid crystal display panel)及背光模块(back lightmodule)所构成。其中,液晶显示面板通常是由薄膜晶体管阵列基板(thin film transistor array substrate)、彩色滤光基板(color filtersubstrate)与设置于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻设备,适于对于基板进行光刻工艺,其特征是该光刻设备包括:光刻胶涂布及显影装置,该基板自该光刻胶涂布及显影装置移出时,该基板具有第一温度范围;曝光装置;以及气浮输送装置,设置于该光刻胶涂布及显影装置与该曝光装置之间,而该气浮输送装置适于将该基板输送至该曝光装置,且该气浮输送装置所喷出的气体具有第二温度范围,其中该第二温度范围为该第一温度范围之部分。

【技术特征摘要】
1.一种光刻设备,适于对于基板进行光刻工艺,其特征是该光刻设备包括光刻胶涂布及显影装置,该基板自该光刻胶涂布及显影装置移出时,该基板具有第一温度范围;曝光装置;以及气浮输送装置,设置于该光刻胶涂布及显影装置与该曝光装置之间,而该气浮输送装置适于将该基板输送至该曝光装置,且该气浮输送装置所喷出的气体具有第二温度范围,其中该第二温度范围为该第一温度范围之部分。2.根据权利要求1所述的光刻设备,其特征是该第一温度范围介于摄氏22度至摄氏24度之间。3.根据权利要求1所述的光刻设备,其特征是该第二温度范围介于摄氏22.9度至摄氏23.1度之间。4.根据权利要求1所述的光刻设备,其特征是该光刻胶涂布及显影装置具有第一机械手臂,且该第一机械手臂适于将该基板由该光刻胶涂布及显影装置内移动出。5.根据权利要求1所述的光刻设备,其特征是还包括基板暂...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴恒忠
申请(专利权)人:中华映管股份有限公司
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]

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