半导体存储器的制造方法技术

本发明专利技术提供一种降低了耗电量、并抑制了元件特性偏差的半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器的制造方法包含通过对层叠在基板（５００）的上方的反应性传导材料（５０４）及非反应性传导材料（５０５）的露出的侧面进行绝缘物形成处理，从反应性传导材料（５０４）的侧面使规定长度的反应性传导材料（５０４）变化成绝缘物（８０１），使非反应性传导材料（５０５）的侧面相对于反应性传导材料（５０４）的侧面突出而形成突起（８０４）的工序，绝缘物形成处理是氧化处理或氮化处理，反应性传导材料（５０４）是通过氧化处理或氮化处理发生化学反应而变化成绝缘物（８０１）的材料，非反应性传导材料（５０５）是通过氧化处理或氮化处理不变化成绝缘物（８０１）的材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种，所述半导体存储器通过对电极间施加电压、使电流流动来弓I起状态变化，存储信息。
技术介绍
现在，作为大规模集成化的存储元件，广泛采用DRAM(动态随机存储器Dynamic Random Access Memory)禾口闪存器这两种。DRAM是能够高速进行写入及读出、但为了保持存储而需要消耗电力的所谓挥发性存储器。所以，主要用于计算机的主存储等短期存储。闪存器是保持存储不需要消耗电力的所谓不挥发性存储器。这些存储元件因有信息的写入及改写的速度低的缺陷，因此主要用于数码照相机或音乐唱机用的长期存储。同时具有高速性和不挥发性的可大规模集成化的存储元件如果能够实用化，则不需要将元件按短期存储和长期存储分开使用。如果采用这样的元件，能够实现例如在通电的同时就能够利用的计算机等。因而，要实现同时具有高速性和不挥发性的可大规模集成化的存储元件，这样的研究目前十分活跃。为了克服DRAM或闪存器的缺陷，实现大规模集成的不挥发性高速存储器，认为需要结构、工作原理与DRAM或闪存器不同的存储器。现在，各式各样的结构、原理的存储器的研究十分活跃。其中，包括ReRAM(Resistance本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体存储器的制造方法，其包含以下工序：在基板的上方，通过层叠反应性传导材料及非反应性传导材料而形成层叠膜的工序、使所述层叠膜的侧面露出的工序、通过对所述层叠膜的露出的侧面进行绝缘物形成处理，使从所述反应性传导材料的侧面开始的规定长度的所述反应性传导材料变化成绝缘物，从而使所述非反应性传导材料的侧面相对于所述反应性传导材料的侧面突出而形成突起的工序、形成覆盖所述绝缘物及所述突起的半导体层的工序、形成覆盖所述半导体层的对置电极的工序；所述绝缘物形成处理是氧化处理或氮化处理；所述反应性传导材料是通过氧化处理或氮化处理而发生化学反应从而变化成绝缘物的材料；所述非反应性传导材料是通过氧化处理或...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：能泽克弥，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP