新型功率半导体集成器件制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体器件，公开了一种适用于电力电子集成电路技术领域的功率半导体集成器件。它将两个分立的半导体器件JFET与JBS集成于一块芯片上，形成一块新型半导体器件，在功能上等同于JFET与JBS并联连接，大大减小模块封装体积及成本。而且利用JFET和JBS工艺的高度兼容性，同时实现这两种器件，在一个单芯片和同一套工艺中实现两种器件。P+的注入工艺同时提供了JFET的栅极结构和JBS的P型电场阻断结构部分；JBS的阳极、JFET的源极和栅极金属电极都可以由一次淀积工艺完成。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体器件，尤其涉及一种适用于电力电子集成电路
的功率半导体集成器件。
技术介绍
目前在电力电子模块设计中，当模块电路中需要结型场效应晶体管JFET与结势垒肖特基JBS并联时，往往是将两个独立的器件并联在一起使用，这样既增加模块封装上的体积，同时增加了模块生产的成本。鉴于此，迫切需要专利技术一种新的功率半导体器件，以期可以减小模块封装体积及成本。
技术实现思路
本技术针对传统模块电路中分立使用JFET和JBS造成既增加模块封装体积、 又增加模块生产成本等不足，而提供了一种新型功率半导体集成器件。它将半导体器件 JFET与JBS集成于一块芯片上，形成一块新型半导体器件，大大减小了模块封装体积及成本。为了解决上述技术问题，本技术通过下述技术方案得以解决新型功率半导体集成器件，包括半导体芯片，其特征在于所述半导体芯片上集成有左右相连的结型场效应晶体管JFET和结势垒肖特基JBS，半导体芯片的下部分由下至上依次设有漏极、N+衬底和N-外延层；所述结型场效应晶体管JFET包括P+区和N+区，P+区的上部与栅极相连，N+区的上部与源极相连；所述结势垒肖特基JBS包括P+区，P+本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．新型功率半导体集成器件，包括半导体芯片，其特征在于：所述半导体芯片上集成有左右相连的结型场效应晶体管ＪＦＥＴ和结势垒肖特基ＪＢＳ，半导体芯片的下部分由下至上依次设有漏极、Ｎ＋衬底和Ｎ－外延层；所述结型场效应晶体管ＪＦＥＴ包括Ｐ＋区和Ｎ＋区，Ｐ＋区的上部与栅极相连，Ｎ＋区的上部与源极相连；所述结势垒肖特基ＪＢＳ包括Ｐ＋区，Ｐ＋区上部为阳极，阳极与源极相连。

【技术特征摘要】
1.新型功率半导体集成器件，包括半导体芯片，其特征在于所述半导体芯片上集成有左右相连的结型场效应晶体管JFET和结势垒肖特基JBS，半导体芯片的下部分由下至上依次设有漏极、N+衬底和N-外延层；所述结型场效应晶体管JFET包括P+区和N+区，P+区的上部与栅极相连，N+区的上部与源...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛况，
申请(专利权)人：盛况，
类型：实用新型
国别省市：86