非易失性存储元件阵列及其制造方法技术

本发明专利技术提供非易失性存储元件阵列及其制造方法。在半导体芯片的基板（２６）上形成有下部电极（２２），下部电极（２２）的上部被第一层间绝缘膜（２７）覆盖。在该下部电极（２２）上构成有贯通第一层间绝缘膜（２７）而形成的第一接触孔（２８），构成可变电阻膜（２４）的低电阻层（２９）被埋入第一接触孔（２８）中。进一步，在第一层间绝缘膜（２７）和低电阻层（２９）之上形成有高电阻层（３０），可变电阻膜（２４）构成为包括各一层该高电阻层（３０）和低电阻层（２９）的多层的电阻层。进一步，构成存储部（２５）的低电阻层（２９）至少与邻接的存储部（２５）分离。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及适于微细化和高速化的非易失性存储元件阵列及其制 造方法。
技术介绍
近年来，随着数字技术的发展，便携式信息设备、信息家电等电 子设备进一步高功能化。随着这些电子设备的高功能化，使用的半导 体元件的微细化和高速化也迅速发展。其中，使用能够以低电力消耗 进行高速读写的强电介质膜等作为存储部的材料的非易失性存储元件 的用途迅速扩大。进一步，使用可变电阻膜作为存储部的材料的非易失性存储元件 仅以可变电阻元件构成存储元件，因此，能够期待进一步的微细化、 高速化和低电力消耗。但是，在使用可变电阻膜作为存储部的材料的情况下，例如，通 过电脉冲的输入等，电阻值从高电阻向低电阻变化或从低电阻向高电 阻变化，需要明确地对二值之间进行区别，并且稳定地进行变化。为 了这种保持特性的稳定并以存储元件的微细化为目的，公开有可变电 阻膜的结构。在图21中，作为现有的存储元件的例子，表示利用以2个电极夹 着2个记录层、记录层的电阻值能够可逆地变化的电阻变化元件构成 存储器单元的例子(例如，参照专利文献l)。如图21所示，该存储元件构成为，构成存储器单元的多个电阻变 化元件10以阵列状配置。此外，电阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性存储元件阵列，其具有多个非易失性存储元件，该非易失性存储元件阵列的特征在于：　各个非易失性存储元件包括：　形成在基板上的下部电极；　形成在所述下部电极的上方的上部电极；和　被所述下部电极和所述上部电极夹着的可变电阻膜，　所述可变电阻膜包括高电阻层和低电阻层，并具有电阻值通过在所述下部电极与所述上部电极之间施加电脉冲而增加或减少的特性，仅在所述上部电极的主面的一部分与所述上部电极连接，或仅在所述下部电极的主面的一部分与所述下部电极连接，所述低电阻层在邻接的非易失性存储元件之间被相互分离。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：三河巧，高木刚，川岛良男，有田浩二，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]