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本发明提供非易失性存储元件阵列及其制造方法。在半导体芯片的基板（２６）上形成有下部电极（２２），下部电极（２２）的上部被第一层间绝缘膜（２７）覆盖。在该下部电极（２２）上构成有贯通第一层间绝缘膜（２７）而形成的第一接触孔（２８），构成可变电...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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