非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极（１０３）；第二电极（１０８）；和介于第一电极（１０３）与第二电极（１０７）之间，电阻值根据施加于两电极（１０３）、（１０８）间的电信号可逆地变化的电阻变化层（１０７），该电阻变化层（１０７）至少具有叠层有第一含铪层和第二含铪层的叠层构造，该第一含铪层具有以ＨｆＯｘ（其中，０．９≤ｘ≤１．６）表示的组成，该第二含铪层具有以ＨｆＯｙ（其中，１．８＜ｙ＜２．０）表示的组成。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非易失性存储元件，特别涉及电阻值根据施加的电信号而变化的电阻 变化型的非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导 体装置。
技术介绍
近年来，伴随着数字技术的发展，便携型信息设备和信息家电等电子设备进一步 高机能化。因此，对于非易失性存储元件的大容量化、写入电力的降低、写入/读出时间的 高速化和长寿命化的要求不断提高。对于这样的要求，可以说已有的使用浮动栅的闪存器在微细化方面存在界限。于 是，最近，将电阻变化层用作存储部的材料的新的电阻变化型的非易失性存储元件被人们 所关注。该电阻变化型的非易失性存储元件基本上如图24所示，以由下部电极503和上部 电级505夹着电阻变化层504的非常简单的构造构成。而且，仅通过对该上下电极间提供 规定的电脉冲，电阻就变化为高电阻或者低电阻状态。然后，使这些不同的电阻状态与数值 相对应而进行信息的记录。电阻变化型的非易失性存储元件具有这样的构造上以及动作上 的简单性，因此，能够期待其实现进一步的微细化、低成本化。进一步，由于高电阻和低电阻 的状态变化可能在lOOnsec级以下发生，因此从高速动作的观点出发也本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：三谷觉，神泽好彦，片山幸治，高木刚，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP