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本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极（１０３）；第二电极（１０８）；和介于第一电极（１０３）与第二电极（１０７）之间，电阻值根据施加于两电极（１０３）、（１...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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