半导体存储器和半导体存储器的预烧测试方法技术

包括第一步到第六步的预烧测试被施加到半导体存储器上，在每一步中，电压被施加相同的时长，该半导体存储器具有交替排列的具有位线彼此交叉的扭曲结构的位线对和具有位线彼此平行的非扭曲结构的位线对。由于向所有位线施加应力的时长可以设为相等，所以在位线之间施加应力的时长上不会发生偏差。可以防止存储单元特性由于预烧测试而引起的过度恶化。另外，在第一步到第六步中可以使未向其施加应力的位线数目最小。因此，可以增大向其施加应力的位线的比率，这减少了预烧测试时间。从而可以减小测试成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有位线扭曲结构的半导体存储器的预烧测试(burn-intest)方法，在位线扭曲结构中，位线相互交叉。
技术介绍
诸如DRAM之类的半导体存储器已被用作诸如移动电话之类的便携式设备的工作存储器。近年来，移动电话除了允许用户进行语音通信以外，还允许用户发送字符串数据或图像数据并访问因特网。移动电话所处理的数据量正迅速地增大。因此，需要具有大容量的半导体存储器。为了在不增加成本的前提下增大半导体存储器的存储容量，存储器销售商正试图减小器件结构的尺寸。然而，如果相邻线路之间的距离由于器件结构尺寸的缩小而减小，则线路之间的耦合电容会增大。例如，由于连接到存储单元的位线之间的寄生电容增大而导致DRAM的操作特性恶化。为了减小由于寄生电容而引起的位线之间的数据串扰，提出了一种位线扭曲结构，其中位线在存储单元阵列的中心部分彼此交叉。由于扭曲结构的存在，减小了位线之间的耦合电容，从而改进了操作特性。另一方面，在测试过程中通常要对半导体存储器进行预烧测试。预烧测试是一种通过在高温和高电压条件下运行半导体存储器从而在短时间内去除初始故障的加速测试。例如，应力电压被施加在所有的相邻位线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有多个位线对的半导体存储器的预烧测试方法，所述多个位线对由分别连接到存储单元的互补位线组成，在所述半导体存储器中具有所述位线彼此交叉的扭曲结构的位线对和具有所述位线彼此平行的非扭曲结构的位线对交替排列，所述方法包括：第一步，分 别将高压和低压电平施加到所述位线对中每一对的所述位线上；第二步，将与所述第一步中相同的电压电平施加到具有非扭曲结构的位线对上，并将与所述第一步中相反的电压电平施加到具有扭曲结构的位线对上；第三步，将与所述第一步中相反的电压电 平施加到所述位线对中每一对的所述位线上；第四步，将与所述第三步中相同的电压电平施加到具有非扭曲结...

【技术特征摘要】
JP 2005-6-27 2005-1873891.一种具有多个位线对的半导体存储器的预烧测试方法，所述多个位线对由分别连接到存储单元的互补位线组成，在所述半导体存储器中具有所述位线彼此交叉的扭曲结构的位线对和具有所述位线彼此平行的非扭曲结构的位线对交替排列，所述方法包括第一步，分别将高压和低压电平施加到所述位线对中每一对的所述位线上；第二步，将与所述第一步中相同的电压电平施加到具有非扭曲结构的位线对上，并将与所述第一步中相反的电压电平施加到具有扭曲结构的位线对上；第三步，将与所述第一步中相反的电压电平施加到所述位线对中每一对的所述位线上；第四步，将与所述第三步中相同的电压电平施加到具有非扭曲结构的位线对上，并将与所述第三步中相反的电压电平施加到具有扭曲结构的位线对上；第五步，将高压或低压电平公共地施加到所述位线对中的每一对上，并将彼此相反的电压电平施加到相邻的位线对上；以及第六步，施加与所述第五步中相反的电压电平，其中在所述第一步到第六步的每一步中，所述位线对被施加相等时长的电压。2.如权利要求1所述的半导体存储器的预烧测试方法，其中所述半导体存储器包括操作控制电路，其根据从外部施加的命令和地址执行写操作以将数据写入所述存储单元；多个预充电电路，其将具有非扭曲结构和扭曲结构的相邻位线对分别连接到第一和第二预充电电压线；以及预充电电压发生器，其生成要提供给所述第一和第二预充电电压线的电压，并且其中通过由所述操作控制电路执行写操作来完成所述第一步到第四步，并且通过由所述预充电电压发生器使所述第一和第二预充电电压线生成彼此相反的电压电平，而不是让所述操作控制电路执行写操作来完成所述第五步和第六步。3.如权利要求1所述的半导体存储器的预烧测试方法，其中，所述半导体存储器包括命令解码器，所述命令解码器对从外部施加的读命令和写命令进行解码以对所述存储单元执行读和写操作，并且其中所述方法还包括以下步骤当所述命令解码器接收到在正常的读和写操作中不使用的非法命令时，使操作模式从正常操作模式转移到测试模式；以及当与所述非法命令一起施加的地址和数据中的至少一个所指示的测试代码的值指示预烧测试时，根据所述测试代码的值使所述操作模式转移到完成所述第一步到第四步的第一预烧测试模式和完成所述第五步和第六步的第二预烧测试模式中的一种。4.如权利要求3所述的半导体存储器的预烧测试方法，其中，所述方法还包括以下步骤当所述非法命令和所述测试代码指示转移到所述第一预烧测试模式的进入命令时，响应于所述进入命令而由所述操作控制电路执行写操作；以及当所述非法命令和所述测试代码指示转移到所述第二预烧测试模式的进入命令时，根据所述测试代码的值将所述第一和第二预充电电压线中的每一条设为高压和低压电平中的一个或另一个。5.如权利要求4所述的半导体存储器的预烧测试方法，其中，所述方法还包括以下步骤当在所述第一和第二预烧测试模式期间接收的所述非法命令和所述测试代码指示退出命令时，使所述操作模式从所述第一和第二预烧测试模式转移到所述正常操作模式。6.一种半导体存储器，包括包括多个存储单元和多个位线对的存储单元阵列，所述多个位线对由分别连接到所述存储单元的互补位线组成，在所述半导体存储器中具有所述位线彼此交叉的扭曲结构的位线对和具有所述位线彼此平行的非...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤冈伸也，奥山好明，高田泰宽，渡边达启，小玉修巳，
申请(专利权)人：富士通微电子株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]