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包括第一步到第六步的预烧测试被施加到半导体存储器上，在每一步中，电压被施加相同的时长，该半导体存储器具有交替排列的具有位线彼此交叉的扭曲结构的位线对和具有位线彼此平行的非扭曲结构的位线对。由于向所有位线施加应力的时长可以设为相等，所以在位线...
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