半导体陶瓷的组成制造技术

边界绝缘型半导体陶瓷电容器用的一种半导体陶瓷的组成；能使该电容器呈现有所增加的介电常数、令人满意的频率特性和温度特性以及有所降低的介质损耗。该组成包括ＳｒＴｉＯ－［３］基本组分和由ＣａＴｉＯ－［３］、Ｙ和Ｎｂ组成的次要组分。该组成还含Ｍｎ和ＳｉＯ－［２］，它们分别能增加电容器的绝缘电阻和扩大（ＳｒＯ＋ＣａＯ）／ＴｉＯ的适用范围。此外，还有一种组成包含ＳｒＴｉＯ－［３］基本组分和由ＣａＴｉＯ－［３］、ＢａＴｉＯ－［３］，Ｙ和Ｎｂ组成的次要组分。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体陶瓷电容器用的半导体陶瓷的组成，更具体地说，本专利技术涉及的半导体陶瓷的组成，适用于制造边界绝缘型半导体陶瓷电容器。用作无源电子电路元件的半导体陶瓷电容器一般分成两类型，即边界层型和表面层型。边界层型半导体陶瓷电容器包括一种边界绝缘型电容器，而表面层型半导体陶瓷电容器包括一种阻挡层型电容器和一种还原再氧化型电容器。然而，业已发现普通的半导体电容器具有下列缺点边界绝缘型半导体电容器的电容量和介质强度相对地有所降低。阻挡层型的频率特性变劣，介质损耗(tanδ)有所增加，介质强度有所降低。还原再氧化型电容器的频率特性变劣，温度特性和介质损耗有所增加。这些缺点的起因，是由于能够提供避免上述缺点的半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷组成至今仍未研制出来。鉴于先有技术的上述缺点而作出了本专利技术。因此，本专利技术的一个目的是提供半导体降瓷电容器用的一种半导体陶瓷的组成，它使该电容器不仅提高介电常数和呈现出满意的频率特性和温度特性，而且也能降低介质损耗。本专利技术的另一个目的是要为能够改进电容器的绝缘电阻的半导体陶瓷电容器提供一种半导体陶瓷的组成。本专利技术再有一个目的是要为半导体陶瓷电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体陶瓷的组成，其特征在于它包括：一个含ＳｒＴｉＯ↓〔３〕的基本组分；以及一个含ＣａＴｉＯ↓〔３〕、Ｙ和Ｎｂ的次要组分；所说ＣａＴｉＯ↓〔３〕占０．１至２．０克分子％，而Ｙ和Ｎｂ分别存在于按组成计算占０．１至０．４克分子％ 的Ｙ↓〔２〕Ｏ↓〔３〕和Ｎｂ↓〔２〕Ｏ↓〔５〕基体中。

【技术特征摘要】
JP 1986-9-2 205071/86;JP 1986-12-26 313725/86的范围内，不用说本发明除了如已具体地叙述以外是可以付诸实施的。权利要求1.一种半导体陶瓷的组成，其特征在于它包括一个含SrTiO3的基本组分；以及一个含CaTiO3、Y和Nb的次要组分；所说CaTiO3占0.1至2.0克分子%，而Y和Nb分别存在于按组成计算占0.1至0.4克分子%的Y2O3和Nb2O5基体中。2.根据权利要求1中所规定的一种半导体陶瓷的组成，其特征在于它还包括Mn，所说的Mn存在于按所说组成计算占0.02至0.2克分子%的MuO基体中。3.根据权利要求2中所规定的一种半导体陶瓷的组成，其特征在于它还包括SiO2，所说SiO2按所说组成计算占0.01至0.1克分子%。4.根据权利要求1至3中任何一个所规定的一种半导体陶瓷的组成，其特征在于所说组成经压制和烧结使Bi出现在该组成的晶界。5.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野秀一，板垣秋一，矢作正博，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]