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本发明提供一种降低了耗电量、并抑制了元件特性偏差的半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器的制造方法包含通过对层叠在基板（５００）的上方的反应性传导材料（５０４）及非反应性传导材料（５０５）的露出的侧面进行绝缘物形成处理，从反应性传导材料...
该专利属于松下电器产业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过松下电器产业株式会社授权不得商用。

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