【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及非易失性存储器件以及制造非易失性存储器件的方法，并且更具体地，涉及垂直型非易失性存储器件，其中，改进了沟道层中的条纹现象；还涉及制造该垂直型非易失性存储器件的方法，以及包括该垂直型非易失性存储器件的存储模块和系统。
技术介绍
在制造非易失性存储器件的同时，研究了通过垂直地堆叠包括在每个单元芯片中的单元(cell)晶体管来改进集成度的方法。具体地，闪存器件可以通过垂直地堆叠单元晶体管而被高度地集成。
技术实现思路
本专利技术提供了一种非易失性存储器件，其中，改进了沟道层中的条纹现象；还提供了制造该非易失性存储器件的方法。根据本专利技术的一方面，提供了一种非易失性存储器件，包括衬底，沟道层，该沟道层从衬底突出；栅极导电层，该栅极导电层围绕沟道层；栅极绝缘层，该栅极绝缘层被布置在沟道层和栅极导电层之间；以及第一绝缘层，该第一绝缘层与沟道层隔开，并且被布置在栅极导电层的顶部和底部，其中栅极绝缘层可以在栅极导电层和第一绝缘层之间延伸。非易失性存储器件可以进一步包括第二绝缘层，该第二绝缘层直接接触沟道层的顶部。这里，第二绝缘层可以被布置在第一绝缘层和沟道层之间。在...
【技术保护点】
１．一种制造非易失性存储器件的方法，所述方法包括：形成沟道孔，所述沟道孔穿过多个牺牲绝缘层和多个第一绝缘层的堆叠结构，所述堆叠结构被布置在衬底上；在所述沟道孔的侧壁上形成牺牲间隔物；在所述牺牲间隔物上形成半导体沟道层；蚀刻所述堆叠结构中的所述多个牺牲绝缘层和所述牺牲间隔物，从而暴露所述半导体沟道层的侧壁；在所述半导体沟道层的暴露的侧壁上形成栅极导电层。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：李宰求，朴泳雨，俞炳瓘，李东植，朴尚容，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR
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