【技术实现步骤摘要】
本文中所揭示的标的物涉及快闪存储器，且更特定来说涉及一种电荷捕集存储器及一种用以形成所述电荷捕集存储器的工艺流程。
技术介绍
快闪存储器甚至在断电条件下通常保持所存储的信息。在此些存储器中，为了改变单元的逻辑状态(例如，位)，可通过将电位施加到所述单元的各个部分来改变存在于所述单元的存储层中的电荷。举例来说，“0”状态通常对应于带负电荷的存储层且“1”状态通常对应于带正电荷的存储层。如所打算，非易失性存储器可随时间保持所存储的信息，但此存储器保持此所存储的信息的可靠性可受(举例来说)甚至在相对低的电场下可观察到的泄漏电流或电荷扩散的限制。此些低等级电荷损失及/或电荷增益机制(其可导致信息损失)是不期望的，因为期望快闪存储器装置能够将信息存储大约至少几年。附图说明将参照以下各图描述非限制性及非穷举性实施例，其中除非另有规定，各图中相同参考编号指代相同部件。图1到5是根据一实施例的存储器装置的部分的横截面图。图6是根据一实施例的存储器阵列的横截面图。图7是根据一实施例的用以形成存储器装置的工艺的流程图。图8是根据一实施例的计算系统及存储器装置的示意图。具体实施例方式...
【技术保护点】
１．一种制作存储器装置的方法，所述方法包含：蚀刻至少部分地覆盖衬底上的外围电路及经隔离区的第一半导体层以形成沟槽，从而暴露所述经隔离区；及在所述沟槽的底部处蚀刻所述经隔离区以将所述沟槽加深到大致低于所述第一半导体层处。
【技术特征摘要】
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