【技术实现步骤摘要】
本技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜场效应晶体管基板以及液晶面板。
技术介绍
液晶显示屏(LCD，Liquid Crystal Display)属于被动显示，即液晶本身不发光， 由背光源发射背景光照射到液晶层和微滤色镜阵列形成液晶图像。所以背景光透过液晶面板的强度决定着液晶显示屏的亮度。而现有的液晶面板中使用的薄膜场效应晶体管(TFT， Thin Film Transistor)基板是由TFT阵列基板和彩膜基板组成的。其中，TFT阵列基板和彩膜基板中使用的衬底的主要成分为二氧化硅SiO2，由于SiO2对背光源的可见光中的蓝光透过率不高，导致大量背景光被反射掉，严重降低了背光源的透过率。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种薄膜场效应晶体管TFT基板以及液晶面板，用以解决现有的TFT基板对背光源的透过率不高的问题。本技术实施例提供的薄膜场效应晶体管TFT基板，包括彩膜基板和TFT阵列基板；其中，彩膜基板的衬底和/或TFT阵列基板的衬底面向背光源的一侧具有纳米结构图形。本技术实施例提供的液晶面板，包括前述薄膜场效应晶体管TFT基板。本技术实施例的有益效果包括本技术实施例...
【技术保护点】
１．一种薄膜场效应晶体管基板，其特征在于，包括：彩膜基板和薄膜场效应晶体管ＴＦＴ阵列基板；其中，所述彩膜基板的衬底和／或所述ＴＦＴ阵列基板的衬底面向背光源的一侧具有纳米结构图形。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜场效应晶体管基板，其特征在于，包括彩膜基板和薄膜场效应晶体管TFT 阵列基板；其中，所述彩膜基板的衬底和/或所述TFT阵列基板的衬底面向背光源的一侧具有纳米结构图形。2.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述衬底上具有凸出的纳米结构图形和/或具有凹进衬底的纳米结构图形。3.如权利要求1或2所述的基板，其特征在于，所述纳米结构图形为周期性结构图形、 非周期性结构图形或两者的组合。4.如权利要求3所述的基板，其特征在于，所述纳米结构图形为周期性结构图形中的光栅结构图形、点阵结构图形以及牛眼环结构图形中的任意一种或组合。5.如权利要求4所述的基板，其特征在于，所述纳米结构图形为亚波长条状光栅图形， 所述亚波长条状光栅结构图形的光栅高度小于500nm，周期为250nm-8000nm，占空比大于0 小于1。6.如权利要求5所述的基板，其特征在于，所述光栅高度为50nm-100nm，所述周期为 450nm，所述占空比为2/9。7.如权利要求4所述的基板，其特征在于，所述纳米结构图形为点阵结构图形，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11
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