一种薄膜场效应晶体管基板及液晶面板制造技术

本实用新型专利技术公开了一种薄膜场效应晶体管TFT基板以及液晶面板，在TFT阵列基板的衬底和/或彩膜基板的衬底面向背光源的一侧制作纳米结构图形，由于该纳米结构图形具有表面等离子体调制效应的性质，能有效地透射背光源发出的可见光，提高了背景光的透过率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜场效应晶体管基板以及液晶面板。
技术介绍
液晶显示屏(LCD，Liquid Crystal Display)属于被动显示，即液晶本身不发光， 由背光源发射背景光照射到液晶层和微滤色镜阵列形成液晶图像。所以背景光透过液晶面板的强度决定着液晶显示屏的亮度。而现有的液晶面板中使用的薄膜场效应晶体管(TFT， Thin Film Transistor)基板是由TFT阵列基板和彩膜基板组成的。其中，TFT阵列基板和彩膜基板中使用的衬底的主要成分为二氧化硅SiO2，由于SiO2对背光源的可见光中的蓝光透过率不高，导致大量背景光被反射掉，严重降低了背光源的透过率。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种薄膜场效应晶体管TFT基板以及液晶面板，用以解决现有的TFT基板对背光源的透过率不高的问题。本技术实施例提供的薄膜场效应晶体管TFT基板，包括彩膜基板和TFT阵列基板；其中，彩膜基板的衬底和/或TFT阵列基板的衬底面向背光源的一侧具有纳米结构图形。本技术实施例提供的液晶面板，包括前述薄膜场效应晶体管TFT基板。本技术实施例的有益效果包括本技术实施例提供的薄膜场效应晶体管TFT基板以及液晶面板，在TFT阵列基板的衬底和/或彩膜基板的衬底面向背光源的一侧制作纳米结构图形，由于纳米结构图形具有表面等离子体调制效应的性质，能有效地透射背光源发出的可见光，提高了背景光的透过率。附图说明图1为本技术实施例提供的TFT基板和背光源的结构关系示意图；图2为本技术实施例提供的衬底上具有凸出的条状光栅结构图形的立体示意图；图3为本技术实施例提供的衬底上具有凸出的点阵结构图形的立体示意图；图4为本技术实施例提供的衬底上具有凹进衬底内的点阵结构图形的立体示意图；图fe为本技术实施例提供的衬底上具有凸出的牛眼环结构图形的俯视图；图恥为本技术实施例提供的衬底上具有凸出的牛眼环结构图形的侧视图。具体实施方式3以下结合附图，对本技术实施例提供的薄膜场效应晶体管(TFT)基板的具体实施方式进行详细地说明。本技术实施例提供的一种薄膜场效应晶体管(TFT)基板，如图1所示，具体包括彩膜基板103和在彩膜基板103之上的TFT阵列基板102 ；其中，彩膜基板103的衬底和/或TFT阵列基板102的衬底面向背光源101的一侧具有纳米结构图形。具体地，彩膜基板103的衬底和/或TFT阵列基板102的衬底上的纳米结构图形可以全部凸出于衬底，也可以全部凹进衬底，还可以部分凸出另外部分凹进于衬底。并且， 纳米结构图形可以为周期性结构图形、非周期性结构图形或两者的组合。本技术实施例之所以在彩膜基板的衬底和/或TFT阵列基板的衬底形成纳米结构图形，是基于纳米结构图形所采用的材料的特性，纳米结构图形一般采用具有表面等离子体调制效应的材料，例如现有的金属材料或者重掺杂半导体材料，使用这些材料制成的纳米结构图形能够增加主要成分为SiO2的衬底对背景光中蓝光的透过率，从而增加TFT 基板对背光源的透过率。下面以周期性结构图形为例，对纳米结构图形的具体结构进行说明实施例一纳米结构图形为周期性结构图形中的光栅结构图形；如图2所示，纳米结构图形可以为在衬底1上凸出的条状光栅结构图形2。其中， 条状光栅结构图形2的制造方法为在衬底1上利用热蒸发或者磁控溅射方法制备一层金属薄膜，接着利用纳米压印技术制成所需的具体条状光栅结构图形。纳米结构图形也可以为凹进衬底的条状光栅结构图形。其中，条状光栅结构图形的制造方法为在衬底上利用刻蚀技术制作出所需的条状光栅结构图形，然后将金属材料填充进凹陷的部位，最后形成凹进衬底的条状光栅结构图形。纳米结构图形还可以为上述在衬底1上凸出的条状光栅结构图形2和凹进衬底的条状光栅结构图形的组合。优选地，条状光栅结构图形为亚波长条状光栅结构图形，亚波长条状光栅结构图形的光栅高度可以小于500nm，周期为250nm-8000nm，占空比大于0小于1。更优选地，光栅高度为50nm-100nm，周期为450nm，占空比为2/9。具体地，金属薄膜和金属材料可以是银(Ag)金属或其他常用金属，在本实施例中不做限定。实施例二 纳米结构图形为周期性结构图形中的点阵结构图形；点阵结构图形由若干个点状部件以阵列形式组合而成。具体地，单个点状部件的形状可以为圆柱状、多边形柱状、球冠状或现有的其他形状，而点阵结构图形可以由若干个同一形状的点状部件组合而成，也可以由若干个不同形状的点状部件组合形成。优选地，点阵结构图形中点状部件的高度可以小于500nm，周期(即各个点状部件中心的距离)可以为250nm-8000nm。更优选地，在点状部件的半径为IOOnm时，点状部件的高度为50歷_100歷，周期为 450nmo此外，点阵结构图形可以可以全部凸出于衬底，也可以全部凹进衬底，还可以部分凸出于衬底而另外的部分凹进于衬底。下面以点状部件的形状为圆柱状为例进行说明，具体地，如图3所示的一种结构形式中，圆柱状的点状部件3凸出于衬底1 ；如图4所示的另一种结构形式中，圆柱状的点状部件4凹进衬底1中。优选地，图3和图4中圆柱状的圆形截面的半径可以为10nm-780nm。其中，凸出衬底的点阵结构图形的制造方法为在衬底上利用热蒸发或者磁控溅射方法制备一层金属薄膜，接着利用光刻技术刻蚀掉点状部件之外的金属，保留下来的金属就形成了所需的点阵结构图形。凹进衬底内的点阵结构图形的制作方法为在衬底上利用刻蚀技术制作出所需的阵列点状部件，然后将金属材料填充进凹陷的部位，最后形成凹进衬底的点阵结构图形。具体地，金属薄膜和金属材料可以是金(Au)金属或其他常用金属，在本实施例中不做限定。实施例三纳米结构图形为周期性结构图形中的牛眼环结构图形；牛眼环结构图形由同心圆环部件和中心圆部件组成。具体地，本技术实施例三中，牛眼环结构图形可以全部凸出于衬底，也可以全部凹进衬底，还可以部分凸出于衬底而另外的部分凹进于衬底。下面以一个凸出在衬底上的牛眼环结构图形为例进行说明，如图如和恥所示，其中，图fe为衬底1上具有凸出的牛眼环结构图形5的俯视图，图恥为衬底1上具有凸出的牛眼环结构图形5的侧视图，从图如和图恥可以看出，若干个同心圆环部件以中心圆部件为中心，以一定的半径差依次排列组合成牛眼环结构图形。优选地，在牛眼环结构图形中，同心圆环部件和中心圆部件的高度可以为小于 500nm,同心圆环部件之间半径差为250nm-8000nm，占空比大于0小于1。更优选地，同心圆环部件和中心圆部件的高度为50nm-100nm，同心圆环部件的环宽度为lOOnm，各个同心圆环部件之间半径差为450nm。其中，凸出衬底的牛眼环结构图形的制造方法为在衬底上利用热蒸发或者磁控溅射方法制备一层金属薄膜，接着利用聚焦离子束(FIB，Focused Ionbeam)技术刻蚀掉同心圆环部件和中心圆部件之外的金属，保留下来的金属就形成了所需的牛眼环结构图形。凹进衬底的牛眼环结构图形的制造方法为在衬底上利用刻蚀技术制作出所需的牛眼环结构图形，然后将金属材料填充进凹陷的部位，最后形成凹进衬底的牛眼环结构图形。具体地，金属薄膜和金属材料可以是金(Au)金属、钛(Ti本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜场效应晶体管基板，其特征在于，包括：彩膜基板和薄膜场效应晶体管ＴＦＴ阵列基板；其中，所述彩膜基板的衬底和／或所述ＴＦＴ阵列基板的衬底面向背光源的一侧具有纳米结构图形。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜场效应晶体管基板，其特征在于，包括彩膜基板和薄膜场效应晶体管TFT 阵列基板；其中，所述彩膜基板的衬底和/或所述TFT阵列基板的衬底面向背光源的一侧具有纳米结构图形。2.如权利要求1所述的基板，其特征在于，所述衬底上具有凸出的纳米结构图形和/或具有凹进衬底的纳米结构图形。3.如权利要求1或2所述的基板，其特征在于，所述纳米结构图形为周期性结构图形、 非周期性结构图形或两者的组合。4.如权利要求3所述的基板，其特征在于，所述纳米结构图形为周期性结构图形中的光栅结构图形、点阵结构图形以及牛眼环结构图形中的任意一种或组合。5.如权利要求4所述的基板，其特征在于，所述纳米结构图形为亚波长条状光栅图形， 所述亚波长条状光栅结构图形的光栅高度小于500nm，周期为250nm-8000nm，占空比大于0 小于1。6.如权利要求5所述的基板，其特征在于，所述光栅高度为50nm-100nm，所述周期为 450nm，所述占空比为2/9。7.如权利要求4所述的基板，其特征在于，所述纳米结构图形为点阵结构图形，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宇，
申请(专利权)人：北京京东方光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11