薄膜晶体管阵列基板及其制法制造技术

本发明专利技术公开一种薄膜晶体管阵列基板及其制法。所述阵列基板包含薄膜晶体管及补偿电极。所述薄膜晶体管的栅极电极为扫描信号线的一部分并具有一开口，所述开口延伸至扫描信号线的一侧边。所述薄膜晶体管的漏极电极位置对应所述开口。所述薄膜晶体管的源极电极自数据信号线的一侧边延伸出并环绕漏极电极。补偿电极自扫描信号线的另一侧边延伸出而对应栅极电极。因此，本发明专利技术可减少漏极电极与栅极电极之间的寄生电容而不提高扫描信号线的阻值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种薄膜晶体管阵列基板，特别是有关于一种薄膜晶体管阵列基板及其制法。
技术介绍
现有技术中，TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器，thin film transistor liquid crystal display)的构造主要包含两片玻璃基板以及配置于两者之间的液晶层，其中上层玻璃基板表面设有彩色滤光片(Color Filter)，彩色滤光片包含了彩色光阻及黑色矩阵； 而下层玻璃基板则设有薄膜晶体管与像素电极，故一般称为薄膜晶体管阵列基板(TFT LCD Array Substrate)0在薄膜晶体管阵列基板中，一个子像素的结构包含了像素电极、薄膜晶体管及存储电容，其中所述薄膜晶体管的栅极连接扫描信号线，其源极连接数据信号线，其漏极则连接所述像素电极；所述存储电容则连接所述像素电极。通过扫描信号线对薄膜晶体管的栅极施加电压，即可使薄膜晶体管导通。薄膜晶体管的源极再通过数据信号线接受数据信号并传送到漏极，进而写入像素电极并存储于所述存储电容。除了前述的存储电容，所述薄膜晶体管的实际结构中还存在许多寄生电容 (parasitic capacitance)，这些寄生电本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于：所述薄膜晶体管阵列基板包含：基板；扫描信号线，沿一水平方向设置于所述基板上，并具有一第一侧边与一相对于第一侧边的第二侧边；数据信号线，沿一垂直方向设置于所述基板上而与所述扫描信号线彼此绝缘交错；薄膜晶体管，形成于所述扫描信号线与所述数据信号线交叉处附近，并包含一栅极电极、一半导体层、一漏极电极及一源极电极，其中所述栅极电极为所述扫描信号线的一部分并具有一开口，所述开口位于所述栅极电极的中央并延伸至扫描信号线的第一侧边；所述半导体层绝缘地设于所述栅极电极上方；所述漏极电极设于所述半导体层上且位置对应所述栅极电极的开口；所述源极电极自所述数据信号线的一侧边延...

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述薄膜晶体管阵列基板包含基板；扫描信号线，沿一水平方向设置于所述基板上，并具有一第一侧边与一相对于第一侧边的第二侧边；数据信号线，沿一垂直方向设置于所述基板上而与所述扫描信号线彼此绝缘交错；薄膜晶体管，形成于所述扫描信号线与所述数据信号线交叉处附近，并包含一栅极电极、一半导体层、一漏极电极及一源极电极，其中所述栅极电极为所述扫描信号线的一部分并具有一开口，所述开口位于所述栅极电极的中央并延伸至扫描信号线的第一侧边；所述半导体层绝缘地设于所述栅极电极上方；所述漏极电极设于所述半导体层上且位置对应所述栅极电极的开口 ；所述源极电极自所述数据信号线的一侧边延伸出，并沿着所述半导体层的边缘环绕所述漏极电极及所述栅极电极的开口 ；以及补偿电极，自所述扫描信号线的第二侧边一体延伸出并对应所述栅极电极。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述栅极电极的开口呈矩形。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述漏极电极呈倒T字形而包含一水平部及一垂直部，所述水平部与所述扫描信号线的第一侧边及第二侧边平行， 并对应所述栅极电极的开口 ；所述垂直部自所述水平部一侧延伸而与所述扫描信号线的第一侧边垂直，并对应所述栅极电极的开口。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述垂直部的宽度小于所述栅极电极的开口的宽度。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于所述补偿电极的面积与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张骢泷，唐毓男，王晶，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：94