TFT基板及其形成方法、显示装置制造方法及图纸

一种TFT基板及其形成方法、显示装置，TFT基板包括基底，位于基底上的TFT开关；TFT开关包括：栅极，源区、漏区，用于电导通源区和漏区的导电沟道，位于栅极和导电沟道之间的栅介质层，与源区电连接的源电极，与漏区电连接的漏电极，电容，电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层；第一极板与栅极位于同一层，第一极板与栅极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料；第二极板与源电极和漏电极位于同一层，第二极板与源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于50％的导电材料，第二极板与源电极或漏电极电连接。本发明专利技术可以提高TFT开关与具有MEMS光阀显示装置的兼容性以及性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及显示装置领域，特别涉及TFT开关及其形成方法、显示装置及其形成方法。
技术介绍
近年来，随着信息通讯领域的迅速发展，对各种类型的显示设备的需求越来越大。 目前主流的显示装置主要有阴极射线管显示器(CRT)，液晶显示器(LCD)，等离子体显示器(PDP)，电致发光显示器(ELD)和真空荧光显示器(VFD)等。由于液晶显示装置具有轻、 薄、占地小、耗电小、辐射小等优点，被广泛应用于各种数据处理设备中，例如电视、笔记本电脑、移动电话、个人数字助理等。液晶显示装置中，使用的背光源为白光，而且只有偏振光才可以通过液晶层，这将会损失50%的光，使光的利用率仅有50%，当光通过彩色滤光板上，光的效率最多只有 33%，因此液晶显示装置中光的利用率比较低。此外，液晶显示装置还具有其他方面的缺陷例如视角范围小，结构复杂、成本高等。在液晶显示装置中TFT开关使用最为普遍。现有技术中，TFT开关的形成方法为 第一步，在基底上形成栅极薄膜层；然后经掩膜、曝光、显影、干法蚀刻栅极薄膜层后形成栅极、以及扫描线(图中未示)；第二步，形成介质层、低掺杂硅层，高掺杂硅层；然后再干法蚀刻低掺杂硅层，高掺杂本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种ＴＦＴ基板，包括基底，位于基底上的ＴＦＴ开关；所述ＴＦＴ开关包括：栅极，源区、漏区，用于电导通源区和漏区的导电沟道，位于所述栅极和导电沟道之间的栅介质层，与所述源区电连接的源电极，与所述漏区电连接的漏电极，电容，所述电容包括第一极板、第二极板以及位于第一极板和第二极板之间的电容介质层；其特征在于，所述第一极板与所述栅极位于同一层，所述第一极板与所述栅极的材料相同，为透光率小于５０％的导电材料；所述第二极板与所述源电极和漏电极位于同一层，所述第二极板与所述源电极和漏电极的材料相同，为透光率小于５０％的导电材料，所述第二极板与源电极或漏电极电连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛剑宏，唐德明，
申请(专利权)人：上海丽恒光微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31