一种新型SOI材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种新型SOI材料包括一半导体衬底、第一绝缘层、以及第二绝缘层，其中所述第一绝缘层的材料为二氧化铈，所述第二绝缘层的材料为单晶硅，本发明专利技术还涉及该SOI材料的制备方法。本发明专利技术所述新型SOI材料的均匀性好、化学性质稳定，并且形成该SOI材料的制备工艺简单、易于控制。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路器件结构及其制备方法，尤其涉及一种新型SOI材料及其制备方法。
技术介绍
绝缘衬底上的硅(SOI)材料是现代半导体集成电路技术和微电子产业中不可缺少的一种重要的半导体材料。现有技术中，SOI (Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅) 是在顶层硅和体硅之间引入了一层氧化埋层。顶层硅与氧化埋层的折射率相差很大，顶层硅可作为光波的传导层，氧化埋层可作为包层。因在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅 CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI 将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。此外，SOI材料还被用来制造 MEMS光开关，如利用体微机械加工技术。目前，国际主流SOI材料技术主要包括注氧高温退火形成SOI (SIMOX)；硅片键合 SOI ；注氢smart-cut SOI。比较成熟的技术是注氧高温退火形成SOI (SIMOX)，SI本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种新型ＳＯＩ材料，其特征在于，包括一半导体衬底、沉积于所述半导体衬底之上的第一绝缘层、以及沉积于所述第一绝缘层之上的第二绝缘层，其中所述第一绝缘层的材料为二氧化铈，所述第二绝缘层的材料为单晶硅。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾少海，左青云，
申请(专利权)人：上海集成电路研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：31