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本发明涉及一种新型SOI材料包括一半导体衬底、第一绝缘层、以及第二绝缘层，其中所述第一绝缘层的材料为二氧化铈，所述第二绝缘层的材料为单晶硅，本发明还涉及该SOI材料的制备方法。本发明所述新型SOI材料的均匀性好、化学性质稳定，并且形成该SO...
该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。

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