包含绝缘体上硅结构体中的场效应晶体管的半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种包含绝缘体上硅结构体中的场效应晶体管的半导体器件，所述半导体器件包含绝缘体上半导体SeOI结构体，所述结构体含有基片、所述基片上的氧化物层和所述氧化物层上的半导体层；所述半导体器件还包含场效应晶体管FET，其中所述FET包含所述基片中的通道区；作为所述SeOI结构体的所述氧化物层的至少一部分的电介质；和至少部分地作为所述SeOI结构体的半导体层的第一部分的栅。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及绝缘体上硅结构体中的场效应晶体管的制造，具体而言，涉及包含可共享功能区的密集装配的场效应晶体管的系统芯片(system-on-chip)。
技术介绍
绝缘体上半导体(％01)，特别是绝缘体上硅(SOI)半导体器件在当前和未来的半导体制造中，例如在互补型金属氧化物半导体(CM0Q技术的情况中，越来越引人注意。在现代集成电路中，在单芯片区域上形成数量极多的独立电路元件，例如CMOS、NMOS、PMOS元件形式的场效应晶体管、电阻器和电容器等。通常，随着每一代新的电路的引入，这些电路元件的特征尺寸不断减小，从而提供在速度和/或能耗方面的性能改善的现有集成电路。 晶体管尺寸的减小是不断改善复杂集成电路(如CPU)的器件性能中的一个重要方面。尺寸的减少通常带来通断速度的提高，从而增强信号处理性能。利用CMOS技术制造复杂集成电路的过程中，将数百万个晶体管(即，η-通道晶体管和P-通道晶体管)形成于包含晶体半导体层的基片上。晶体管元件是高度复杂集成电路中的主要电路元件，高度复杂集成电路基本决定了这些器件的整体性能。无论所考虑的是η-通道晶体管还是ρ-通道晶体管，MOS晶体管均包含本文档来自技高网...

【技术保护点】
区；电介质，所述电介质是所述绝缘体上半导体结构体的所述氧化物层的至少一部分；和栅，所述栅至少部分地是所述绝缘体上半导体结构体的半导体层的第一部分。１．一种半导体器件，所述半导体器件包含绝缘体上半导体ＳｅＯＩ结构体、特别是绝缘体上硅ＳＯＩ结构体，所述结构体含有基片、所述基片上的氧化物层和所述氧化物层上的半导体层、特别是单晶硅层；以及场效应晶体管ＦＥＴ，其中所述ＦＥＴ包含所述基片中的通道

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：卡洛斯·马祖拉，理查德·费朗，比什因·阮，
申请(专利权)人：硅绝缘体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：FR