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本发明涉及一种包含绝缘体上硅结构体中的场效应晶体管的半导体器件，所述半导体器件包含绝缘体上半导体SeOI结构体，所述结构体含有基片、所述基片上的氧化物层和所述氧化物层上的半导体层；所述半导体器件还包含场效应晶体管FET，其中所述FET包含所...
该专利属于硅绝缘体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过硅绝缘体技术有限公司授权不得商用。

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