【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
１．一种ＭＥＭＳ器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成在半导体衬底内的阱区；形成在阱区内的源极区、漏极区和沟道区；形成在源极区、漏极区表面的隔离层；形成在沟道区表面的栅介质层；形成在栅介质层上方并与栅介质层具有间隙的栅电极层，所述间隙宽度与沟道区对应。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：毛剑宏，韩凤芹，
申请(专利权)人：江苏丽恒电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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