【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体存储器，特别涉及一种。
技术介绍
通常，用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，易失性存储器易于在电中断时丢失其数据，而非易失性存储器即使在供电中断后仍能保持片内信息。目前可得到的非易失存储器有几种形式，包括电可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(flash memory) 0与其它的非易失性存储器相比，快闪存储器具有存储数据的非易失性、低功耗、电重写能力以及低成本等特性，因此， 非易失性存储器已广泛地应用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理。例如在公开号CN101051653A的中国专利申请中提供了一种单栅存储单元，参见图1，给出了现有技术的单栅存储单元的截面图。该单栅存储单元由N型衬底12或N阱制成。均为P+型的第一区域14，第二区域16和第三区域18位于该N阱或N型衬底12中。 该第一区域14，第二区域16和第三区域18彼此间隔开...
【技术保护点】
１．一种单栅非易失性快闪存储单元，包括：半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于衬底中的第一导电类型的掺杂阱，位于掺杂阱内及其上的控制栅晶体管和浮栅晶体管，其中控制栅晶体管源极和浮栅晶体管的漏极共用，所述浮栅晶体管具有浮栅结构，所述半导体结构上具有层间介质层；其特征在于，还包括：可动开关，设置于所述浮栅结构上方，所述可动开关对应位置的层间介质层中具有暴露浮栅结构的开口；所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件位于所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，并将所述导电互连部件悬置在所述开口上方，当向所述导电互连部件施加电压时，则所述导电互连部件与所述浮栅结构电连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：毛剑宏，韩凤芹，
申请(专利权)人：江苏丽恒电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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