一种闪存器件及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种闪存器件，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的闪存区；其中，所述闪存区包括：第一掺杂阱，所述第一掺杂阱内通过隔离区分为第一区和第二区，所述第二区内掺杂了与所述第一掺杂阱的导电性能相反的杂质；形成于所述第一掺杂阱上的高k栅介质层；形成于所述高k栅介质层上的金属层。本发明专利技术实现了高K介质金属栅与可擦写闪存的兼容，提高了闪存的工作性能。本发明专利技术还提供一种与之对应的制造方法，极大地提高了闪存器件的生产效率和成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及。
技术介绍
随着计算机技术的飞速发展，对半导体存储器件的性能也提出了更高的要求。用于存储数据的半导体存储器件可以分为挥发性存储器件和非挥发性存储器件两大类。挥发性存储器件在供电中断后将失去存储数据，而非挥发性存储器件在供电中断后仍然能够保留其中的存储数据。闪存(FlashMemory)是一种从可擦写可编程只读存储器(EPROM)和电可擦写可编程只读存储器(EEPROM)发展而来的非挥发性存储集成电路，属于一次性可编程(OTP)设备，其主要优点是工作速度快、单元面积小、集成度高、可靠性好等，在智能卡、 微控制器等领域具有广泛的应用前景。近年来，在半导体制作工艺中逐渐开始采用以Hf元素为基础的高K材料代替以往的二氧化硅作为栅介质层，不仅极大地提高了半导体器件的工作性能，还减小了电流浪费和能量损失，使得半导体制作工艺取得了巨大进步。但是，当传统的利用互补金属氧化物(CM0Q制作成闪存的工艺中引入高K介质金属栅工艺时，由于在高K介质金属栅工艺中形成的金属栅中存储的数据不易被电流擦除， 因此极大地影响了闪存的可擦写性能，使得这种闪存无法重复多次读本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种闪存器件，包括：半导体衬底；以及闪存区，位于所述半导体衬底上；其中，所述闪存区包括：第一掺杂阱，所述第一掺杂阱内通过隔离区分为第一区和第二区，所述第二区内掺杂了与所述第一掺杂阱的导电性能相反的杂质；高ｋ栅介质层，形成于所述第一掺杂阱上；以及金属层，形成于所述高ｋ栅介质层上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱慧珑，骆志炯，尹海洲，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：11