电源供应装置以及升压装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电源供应装置以及升压装置。上述电源供应装置，用以输出写入电压至或非门快闪式随机存取存储器阵列，包括：升压装置以及稳压装置。升压装置用以产生升压电压，包括电荷泵、第一分压电路、第一比较器以及振荡器。电荷泵根据模式信号以及时脉信号，将渐升电压升压至升压电压。第一分压电路根据升压电压产生第一回授电压。第一比较器比较第一回授电压以及第一参考电压，而产生第一驱动信号。振荡器根据模式信号接收渐升电压，且根据第一驱动信号而输出时脉信号，其中渐升电压自接地位准爬升至供应电压。稳压装置接收升压电压而产生写入电压。通过实施本发明专利技术，可保护进行写入程序的或非门快闪式随机存取存储器单元。

【技术实现步骤摘要】
电源供应装置以及升压装置
本专利技术是有关于一种电源供应装置以及升压装置，特别是有关于一种消除过冲(overshoot)电压的电源供应装置以及升压装置。
技术介绍
在快闪式随机存取存储器中，如或非门快闪式随机存取存储器(NORflashRAM)，通常需要高电压源才能够正常执行写入操作以及抹除操作。一般来说，高电压源通常利用电荷泵产生高电压，才能使快闪式随机存取存储器动作正常。然而，当电荷泵所输出的高电压具有过冲(overshoot)电压时，过冲电压可能会损坏快闪式随机存取存储器单元。因此，我们有必要针对降低电荷泵的过冲电压提出解决方案。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提出一种电源供应装置，用以输出一写入电压至一或非门快闪式随机存取存储器阵列。电源供应装置包括一升压装置以及一稳压装置。上述升压装置用以产生一升压电压，包括一电荷泵、一第一分压电路、一第一比较器以及一振荡器。上述电荷泵根据一模式信号以及一时脉信号，将一渐升电压升压至上述升压电压。上述第一分压电路根据上述升压电压产生一第一回授电压。上述第一比较器比较上述第一回授电压以及一第一参考电压而产生一第一驱动信号。上述振荡器根据上述模式信号接收上述渐升电压，且根据上述第一驱动信号而输出上述时脉信号，其中上述渐升电压自一接地位准爬升至一供应电压。上述稳压装置接收上述升压电压而产生上述写入电压。根据本专利技术的一实施例，上述时脉信号包括一时脉振幅，上述时脉振幅随着上述渐升电压自上述接地位准爬升至上述供应电压而增加，使得上述升压电压亦随着上述渐升电压增加，用以消除上述升压电压的一过冲电压。根据本专利技术的一实施例，电源供应装置更包括一选择器、一单位增益缓冲器、一第一P型晶体管、一电阻性元件、一电容性元件以及一N型晶体管。上述选择器根据上述模式信号，选择上述渐升电压以及上述供应电压之一提供至上述振荡器。上述单位增益缓冲器包括一输入端以及一输出端，其中上述输出端输出上述渐升电压。上述第一P型晶体管栅极端接收上述模式信号，源极端接收上述供应电压，漏极端耦接至一第一节点。上述电阻性元件耦接于上述第一节点以及上述单位增益缓冲器的上述输入端之间。上述电容性元件耦接于上述单位增益缓冲器的上述输入端以及一接地端之间。上述N型晶体管，栅极端接收上述模式信号，源极端耦接至上述接地端，漏极端耦接至上述输入端。根据本专利技术的一实施例，当上述模式信号为一第一逻辑位准时，上述振荡器接收上述渐升电压，上述第一P型晶体管为导通，上述N型晶体管为不导通，使得上述渐升电压以及上述输入端的电压是由上述接地位准充电至上述供应电压。根据本专利技术的另一实施例，当上述模式信号为一第二逻辑位准时，上述振荡器接收上述供应电压，上述第一P型晶体管为不导通，上述N型晶体管为导通且将上述输入端耦接至上述接地端。根据本专利技术的一实施例，上述稳压装置更包括：一P型导通晶体管、一第二分压电路以及一第二比较器。上述P型导通晶体管的栅极端接收一第二驱动信号，源极端接收上述升压电压，漏极端输出上述写入电压。上述第二分压电路根据上述写入电压产生一第二回授电压。上述第二比较器比较上述第二回授电压以及一第二参考电压而产生上述第二驱动信号。本专利技术更提出一种升压装置用以产生一升压电压，升压装置包括一电荷泵、一第一分压电路、一第一比较器以及一振荡器。上述电荷泵根据一模式信号以及一时脉信号，将一渐升电压升压至上述升压电压。上述第一分压电路根据上述升压电压产生一第一回授电压。上述第一比较器比较上述第一回授电压以及一第一参考电压而产生一驱动信号。上述振荡器根据上述模式信号接收上述渐升电压，且根据上述驱动信号而输出上述时脉信号，其中上述渐升电压自一接地位准爬升至一供应电压。根据本专利技术的一实施例，上述时脉信号包括一时脉振幅，上述时脉振幅随着上述渐升电压自上述接地位准爬升至上述供应电压而增加，使得上述升压电压亦随着上述渐升电压增加，用以消除上述升压电压的一过冲电压。根据本专利技术的一实施例，升压装置更包括一选择器、一单位增益缓冲器、一第一P型晶体管、一电阻性元件、一电容性元件以及一N型晶体管。上述选择器根据上述模式信号，选择上述渐升电压以及上述供应电压之一提供至上述振荡器。上述单位增益缓冲器包括一输入端以及一输出端，其中上述输出端输出上述渐升电压。上述第一P型晶体管栅极端接收上述模式信号，源极端接收上述供应电压，漏极端耦接至一第一节点。上述电阻性元件耦接于上述第一节点以及上述单位增益缓冲器的上述输入端之间。上述电容性元件耦接于上述单位增益缓冲器的上述输入端以及一接地端之间。上述N型晶体管的栅极端接收上述模式信号，源极端耦接至上述接地端，漏极端耦接至上述输入端。根据本专利技术的一实施例，当上述模式信号为一第一逻辑位准时，上述振荡器接收上述渐升电压，上述第一P型晶体管为导通，上述N型晶体管为不导通，使得上述渐升电压以及上述输入端的电压是由上述接地位准充电至上述供应电压。根据本专利技术的一实施例，当上述模式信号为一第二逻辑位准时，上述振荡器接收上述供应电压，上述第一P型晶体管为不导通，上述N型晶体管为导通且将上述输入端耦接至上述接地端。通过实施本专利技术，可使写入电压不会出现过冲电压，进而保护进行写入程序的或非门快闪式随机存取存储器单元。附图说明图1是显示根据本专利技术的一实施例所述的电源供应装置的电路图；图2是显示根据本专利技术的一实施例所述的或非门快闪式随机存取存储器阵列的写入操作的波形图；图3是显示根据本专利技术的另一实施例所述的电源供应装置的电路图；以及图4是显示根据本专利技术的另一实施例所述的或非门快闪式随机存取存储器阵列的写入操作的波形图。附图标号100、300电源供应装置110、310升压装置111、311第一分压电路1111、3111第一电阻性元件1112、3112第二电阻性元件112、312第一比较器113、313振荡器114、314电荷泵130、330稳压装置131、331P型导通晶体管132、332第二分压电路1321、3321第三电阻性元件1322、3322第四电阻性元件133、333第二比较器201、401写入操作202、402下降电压203过冲电压315选择器316单位增益缓冲器317第一P型晶体管318第五电阻性元件319电容性元件320N型晶体管NI输入端NO输出端N1第一节点SM模式信号VB升压电压VCC供应电压VD1第一驱动信号VD2第二驱动信号VFB1第一回授电压VFB2第二回授电压VPGM写入电压VREF1第一参考电压VREF2第二参考电压VSL渐升电压SCLK时脉信号具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特例举一较佳实施例，并配合所附图式，来作详细说明如下：以下将介绍是根据本专利技术所述的较佳实施例。必须要说明的是，本专利技术提供了许多可应用的专利技术概念，在此所揭露的特定实施例，仅是用于说明达成与运用本专利技术的特定方式，而不可用以局限本专利技术的范围。图1是显示根据本专利技术的一实施例所述的电源供应装置的电路图。如图1所示，电源供应装置100包括升压装置110以及稳压装置130。升压装置110包括第一分压电路111、第一比较器112、振荡器113以及电荷泵114，其中升压装置110用以将供应电压VCC升压而产生升压电压VB，并利用负本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电源供应装置，用以输出一写入电压至一或非门快闪式随机存取存储器阵列，其特征在于，上述电源供应装置包括：一升压装置，用以产生一升压电压，包括：一电荷泵，根据一模式信号以及一时脉信号，将一渐升电压升压至上述升压电压；一第一分压电路，根据上述升压电压产生一第一回授电压；一第一比较器，比较上述第一回授电压以及一第一参考电压而产生一第一驱动信号；以及一振荡器，根据上述模式信号接收上述渐升电压，且根据上述第一驱动信号而输出上述时脉信号，其中上述渐升电压自一接地位准爬升至一供应电压；以及一稳压装置，接收上述升压电压而产生上述写入电压。

【技术特征摘要】
1.一种电源供应装置，用以输出一写入电压至一或非门快闪式随机存取存储器阵列，其特征在于，上述电源供应装置包括：一升压装置，用以产生一升压电压，包括：一电荷泵，根据一模式信号以及一时脉信号，将一渐升电压升压至上述升压电压；一第一分压电路，根据上述升压电压产生一第一回授电压；一第一比较器，比较上述第一回授电压以及一第一参考电压而产生一第一驱动信号；以及一振荡器，根据上述模式信号接收上述渐升电压，且根据上述第一驱动信号而输出上述时脉信号，其中上述渐升电压自一接地位准爬升至一供应电压；以及一稳压装置，接收上述升压电压而产生上述写入电压。2.如权利要求1所述的电源供应装置，其特征在于，上述时脉信号包括一时脉振幅，上述时脉振幅随着上述渐升电压自上述接地位准爬升至上述供应电压而增加，使得上述升压电压亦随着上述渐升电压增加，用以消除上述升压电压的一过冲电压。3.如权利要求1所述的电源供应装置，其特征在于，上述电源供应装置更包括：一选择器，根据上述模式信号，选择上述渐升电压以及上述供应电压之一提供至上述振荡器；一单位增益缓冲器，包括一输入端以及一输出端，其中上述输出端输出上述渐升电压；一第一P型晶体管，栅极端接收上述模式信号，源极端接收上述供应电压，漏极端耦接至一第一节点；一电阻性元件，耦接于上述第一节点以及上述单位增益缓冲器的上述输入端之间；一电容性元件，耦接于上述单位增益缓冲器的上述输入端以及一接地端之间；以及一N型晶体管，栅极端接收上述模式信号，源极端耦接至上述接地端，漏极端耦接至上述输入端。4.如权利要求3所述的电源供应装置，其特征在于，当上述模式信号为一第一逻辑位准时，上述振荡器接收上述渐升电压，上述第一P型晶体管为导通，上述N型晶体管为不导通，使得上述渐升电压以及上述输入端的电压是由上述接地位准充电至上述供应电压。5.如权利要求3所述的电源供应装置，其特征在于，当上述模式信号为一第二逻辑位准时，上述振荡器接收上述供应电压，上述第一P型晶体管为不导通，上述N型晶体管为导通且将上述输入端耦接至上述接地端。6.如权利要求1所述的电源供应装置，其特征在于，上述稳压装置更包...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宗仁，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71