【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体存储器，特别涉及一种。
技术介绍
通常，用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，易失性存储器易于在电中断时丢失其数据，而非易失性存储器即使在供电中断后仍能保持片内信息。目前可得到的非易失存储器有几种形式，包括电可编程只读存储器(EPR0M)、电可擦除编程只读存储器(EEPROM)和快闪存储器(flash memory) 0与其它的非易失性存储器相比，快闪存储器具有存储数据的非易失性、低功耗、电重写能力以及低成本等特性，，因此， 非易失性存储器已广泛地应用于各个领域，包括嵌入式系统，如PC及外设、电信交换机、蜂窝电话、网络互联设备、仪器仪表和汽车器件，同时还包括新兴的语音、图像、数据存储类产品，如数字相机、数字录音机和个人数字助理。图1为一种现有的叠栅存储单元的结构示意图，如图1所示，存储单元包括，衬底 10，位于衬底10中的掺杂阱20，位于掺杂阱内及其上的叠栅晶体管，叠栅晶体管包括源极区30S、漏极区30D、位于源极区和漏极区之间衬底上的浮栅结构30G，覆盖浮栅结构30G的隔离层40，位于隔离层40上的控制栅结构50。其...
【技术保护点】
１．一种叠栅非易失性快闪存储单元，包括：半导体结构，所述半导体结构包括衬底、位于衬底中的掺杂阱，和位于掺杂阱内及其上叠栅晶体管，所述叠栅晶体管包括源极区、漏极区，位于源极区和漏极区之间的浮栅结构、覆盖所述浮栅结构的隔离层、位于所述隔离层上的控制栅结构，所述半导体结构还包括浮栅结构在衬底上的延伸结构，即浮栅延伸结构，所述半导体结构上具有层间介质层；其特征在于，还包括：可动开关，设置于所述浮栅延伸结构上方，所述可动开关对应位置的层间介质层中具有暴露浮栅延伸结构的开口，所述可动开关包括：支撑部件和导电互连部件，所述支撑部件位于所述导电互连部件的外围，且与所述层间介质层连接，并将所...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：毛剑宏，韩凤芹，
申请(专利权)人：江苏丽恒电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32
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