编程分栅位单元制造技术

本公开涉及编程分栅位单元。一种编程分栅存储器的方法，将电压不同地应用于选择的单元和取消选择的单元的端子。对于通过耦合于选择的行和选择的列被编程的单元，将所述控制栅极耦合于第一电压、将所述选择栅极耦合于第二电压，编程是通过将漏极端子耦合于导致了分栅存储单元导电的电流吸收器以及将所述源极端子耦合于第三电压而实现的。对于通过未耦合于选择的行而未被编程的单元，非编程是通过将所述控制栅极耦合于所述第一电压、将所述选择栅极耦合于大于在读期间应用于所述选择栅极的电压但足够低以阻止编程的第四电压而维持的，其中所述分栅存储单元在所述读期间被取消选择。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本公开涉及编程分栅位单元。一种编程分栅存储器的方法，将电压不同地应用于选择的单元和取消选择的单元的端子。对于通过耦合于选择的行和选择的列被编程的单元，将所述控制栅极耦合于第一电压、将所述选择栅极耦合于第二电压，编程是通过将漏极端子耦合于导致了分栅存储单元导电的电流吸收器以及将所述源极端子耦合于第三电压而实现的。对于通过未耦合于选择的行而未被编程的单元，非编程是通过将所述控制栅极耦合于所述第一电压、将所述选择栅极耦合于大于在读期间应用于所述选择栅极的电压但足够低以阻止编程的第四电压而维持的，其中所述分栅存储单元在所述读期间被取消选择。【专利说明】编程分栅位单元
本专利技术通常涉及存储器NVM，更具体地说涉及编程分栅位单元(split gate bitcell)0
技术介绍
分栅非易失性存储器(NVM)例如包括分栅闪存装置，提供了优于堆叠栅装置的优势。分栅闪存单元表现出了未被选择但是在选择的行上或在选择的列上的存储单元的减少的编程干扰。通常，不管对选择的单元执行的操作如何，选择的行上或选择的列上的单元最可能表现出干扰效应。虽然分栅闪存单元已大幅减少了在选择的行上或在选本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在分栅存储器中选择性编程的方法，所述分栅存储器有以行和列排列的分栅存储单元的第一扇区，其中每一个分栅存储单元有控制栅极、沿着所述行的其中一行耦合于字线的选择栅极、沿着所述列的其中一列耦合于位线的漏极端子、以及源极端子，该方法包括：对于被选择用于通过耦合于选择的行和选择的列而编程的分栅存储单元，将所述控制栅极耦合于第一电压、将所述选择栅极耦合于第二电压、将所述漏极端子耦合于导致所述分栅存储单元导电的电流吸收器、以及将所述源极端子耦合于第三电压；以及对于通过耦合于取消选择的行而未被编程的分栅存储单元，将所述控制栅极耦合于所述第一电压、将所述选择栅极耦合于大于在读期间应用于所述选择栅极的电压的第...

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：C·M·洪，R·J·西兹代克，B·A·温斯蒂亚德，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国;US