有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种蚀刻装置，尤其涉及一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置。这种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，包括基座、用于吸附晶圆的晶圆吸附盘和调焦环，所述晶圆吸附盘设于所述基座上方，所述调焦环环绕设置于所述晶圆的外侧，所述调焦环的下部设有供冷却剂流通的第一冷却通道。本实用新型专利技术有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，结构简单、使用方便，通过在调焦环的背部增设供冷却剂流通的第一冷却通道来控制晶圆边缘的温度，从而控制晶圆边缘部分的关键尺寸。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种蚀刻装置，尤其涉及一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的 蚀刻装置。
技术介绍
在半导体蚀刻工艺中，请参见图1，图1所示是现有的蚀刻装置的结构示意图。从 图1可见，现有的蚀刻装置包括基座1、用于吸附晶圆4的晶圆吸附盘2和调焦环3，所述晶 圆吸附盘2设于所述基座1上方，所述调焦环3环绕设置于所述晶圆4的外侧，所述晶圆吸 附盘2的内部设有供冷却剂流通的第二冷却通道，所述第二冷却通道与冷却剂源输入管5 连通。在蚀刻工程中，在物理轰击、化学蚀刻和化学沉淀交叉复合作用下，调焦环的温度 比较高。当冷却剂流经第二冷却通道时，可以对晶圆进行降温。但是由于调焦环的温度比 较高，使得靠近调焦环的晶圆边缘受到调焦环热度的影响。因而晶圆边缘的温度比晶圆的 中部的温度要高。然而，在蚀刻过程中，若晶圆的温度过高，会造成不容易沉淀和沉淀不均 勻现象产生，从而造成蚀刻后的晶圆边缘部分关键尺寸发生偏差，致使产品良率下降。因此，如何提供一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置是本领域技术人 员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，通 过在调焦环的背部增设供冷却剂流通的第一冷却通道来控制晶圆的温度，从而控制晶圆边 缘部分的关键尺寸。为了达到上述的目的，本技术采用如下技术方案—种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，包括基座、用于吸附晶圆的晶 圆吸附盘和调焦环，所述晶圆吸附盘设于所述基座上方，所述调焦环环绕设置于所述晶圆 的外侧，所述调焦环的下部设有供冷却剂流通的第一冷却通道。在上述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置中，所述第一冷却通道是环 状的。在上述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置中，所述第一冷却通道具有 两个第一冷却通道的进口和两个第一冷却通道的出口，所述两个第一冷却通道的进口相对 设置，所述两个第一冷却通道的出口相对设置，且所述两个第一冷却通道的出口分别离所 述两个第一冷却通道的进口的距离相等。在上述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置中，所述第一冷却通道的进 口设于所述调焦环的下表面，所述第一冷却通道的出口设于所述调焦环的外侧周面。在上述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置中，所述晶圆吸附盘的内部 设有供冷却剂流通的第二冷却通道。在上述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置中，所述第一冷却通道和第 二冷却通道分别与冷却剂源输入管连通。在上述的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置中，所述第二冷却通道具有 第二冷却通道的进口和第二冷却通道的出口，所述第二冷却通道的进口设于所述晶圆吸附 盘的下表面，且与所述冷却剂源输入管接通，第二冷却通道的出口设于所述晶圆吸附盘的 外侧周面。本技术的有益效果如下本技术有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，结构简单、使用方便，通 过在调焦环的背部增设供冷却剂流通的第一冷却通道来控制晶圆边缘的温度，从而控制晶 圆边缘部分的关键尺寸。附图说明本技术的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置由以下的实施例及附 图给出。图1是现有的蚀刻装置的结构示意图；图2是本技术的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置的结构示意图；图3是本技术的调焦环的俯视示意图。图中，1-基座、2-晶圆吸附盘、3-调焦环、31-第一冷却通道、311-第一冷却通道的 进口、312-第一冷却通道的出口、4-晶圆、5-冷却剂源输入管。具体实施方式以下将对本技术的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置作进一步的 详细描述。下面将参照附图对本技术进行更详细的描述，其中表示了本技术的优选 实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本技术而仍然实现本技术 的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对 本技术的限制。为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能 和结构，因为它们会使本技术由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例 的开发中，必须作出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商 业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和 耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。为使本技术的目的、特征更明显易懂，以下结合附图对本技术的具体实 施方式作进一步的说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比率， 仅用以方便、明晰地辅助说明本技术实施例的目的。请参阅图2和图3，图2所示为本技术的有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀 刻装置的结构示意图；图3所示为本技术的调焦环的俯视示意图。这种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，包括基座1、用于吸附晶圆4的 晶圆吸附盘2和调焦环，所述晶圆吸附盘2设于所述基座1上方，所述调焦环环绕设置于所述晶圆4的外侧。所述晶圆吸附盘2的内部设有供冷却剂流通的第二冷却通道。所述调焦 环的下部设有供冷却剂流通的第一冷却通道31。请结合参阅图2，所述第一冷却通道31是环状的，所述第一冷却通道31具有两个 第一冷却通道的进口 311和两个第一冷却通道的出口 312，所述两个第一冷却通道的进口 311相对设置，所述两个第一冷却通道的出口 312相对设置，且所述两个第一冷却通道的出 口 312分别离所述两个第一冷却通道的进口 311的距离相等。所述第一冷却通道的进口 311设于所述调焦环3的下表面，且与所述冷却剂源输入管5接通，所述第一冷却通道的出 口 312设于所述调焦环3的外侧周面。如此设置可以使得冷却剂流过第一冷却通道31的 各处，更有利于实现冷却剂的效用，具有更好的冷却效果。当然，所述第一冷却通道31的形 状不限于此，所述第一冷却通道的进口 311和第一冷却通道的出口 312在所述第一冷却通 道31的位置也可以根据需要和实际情况设置在其他合理位置。本实施例中，所述第一冷却通道和第二冷却通道分别与冷却剂源输入管5连通。 本实施例的蚀刻装置中左右分别设有一根所述冷却剂源输入管5。从而，可以利用现有的冷 却剂源输入管5，无需另外设置。所述第二冷却通道具有第二冷却通道的进口和第二冷却通道的出口，所述第二冷 却通道的进口设于所述晶圆吸附盘2的下表面，且与所述冷却剂源输入管5接通，第二冷却 通道的出口设于所述晶圆吸附盘2的外侧周面。本实施例中，所述冷却剂是氦气。氦气是单原子气体，化学性质不活泼。通常条件 下不与其它元素和化合物反应。利用其高热导率和低沸点，氦气可用于低温冷却。在使用时，请结合参阅图1和图2，冷却剂源输入管5中的冷却剂一部分，流入第二冷却通道的进口，再从第二冷却通道的出口出来，用以冷却晶圆 4的下部，用以控制晶圆4的整体温度；另一部分，流入第一冷却通道的进口 311，再从第一冷却通道的出口 312出来，用 以冷却晶圆4边缘，从而控制晶圆4边缘的温度，当晶圆4边缘的温度得到有效控制，就可 以实现有效控制晶圆4边缘部分关键尺寸的目的。本技术有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，结构简单、使用方便，通 过在调焦环的背部增设供冷却剂流通的第一冷却通道来控制晶圆边缘的温度，从而控制晶 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，包括基座、用于吸附晶圆的晶圆吸附盘和调焦环，所述晶圆吸附盘设于所述基座上方，其特征在于，所述调焦环环绕设置于所述晶圆的外侧，所述调焦环的下部设有供冷却剂流通的第一冷却通道。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：曾德强，吴永皓，朱海波，严凯，蒋荣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31