【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种蚀刻装置，尤其涉及一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的 蚀刻装置。
技术介绍
在半导体蚀刻工艺中，请参见图1，图1所示是现有的蚀刻装置的结构示意图。从 图1可见，现有的蚀刻装置包括基座1、用于吸附晶圆4的晶圆吸附盘2和调焦环3，所述晶 圆吸附盘2设于所述基座1上方，所述调焦环3环绕设置于所述晶圆4的外侧，所述晶圆吸 附盘2的内部设有供冷却剂流通的第二冷却通道，所述第二冷却通道与冷却剂源输入管5 连通。在蚀刻工程中，在物理轰击、化学蚀刻和化学沉淀交叉复合作用下，调焦环的温度 比较高。当冷却剂流经第二冷却通道时，可以对晶圆进行降温。但是由于调焦环的温度比 较高，使得靠近调焦环的晶圆边缘受到调焦环热度的影响。因而晶圆边缘的温度比晶圆的 中部的温度要高。然而，在蚀刻过程中，若晶圆的温度过高，会造成不容易沉淀和沉淀不均 勻现象产生，从而造成蚀刻后的晶圆边缘部分关键尺寸发生偏差，致使产品良率下降。因此，如何提供一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置是本领域技术人 员亟待解决的一个技术问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置...
【技术保护点】
一种有效控制晶圆边缘部分关键尺寸的蚀刻装置，包括基座、用于吸附晶圆的晶圆吸附盘和调焦环，所述晶圆吸附盘设于所述基座上方，其特征在于，所述调焦环环绕设置于所述晶圆的外侧，所述调焦环的下部设有供冷却剂流通的第一冷却通道。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：曾德强，吴永皓，朱海波，严凯，蒋荣，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：实用新型
国别省市：31
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