半导体器件和制造半导体器件的方法技术

所揭示的是能够防止电特性退化的半导体器件及制造半导体器件的方法，多个场限环(FLR)和沟道挡块在反向阻断IGBT的反向电源阻断结构中被设置在n型漂移区的正面的表面层上。p型集电区设置在n型漂移区的背面表面的表面层上。在元件端部设置用于获取反向阻断能力的p+型隔离层。此外，凹部设置成从n型漂移区的背面表面延伸至p+型隔离层。p型区被设置在侧壁的表面层上，且凹部的底部与p+型隔离层和p型集电区彼此电连接。p+型隔离层与沟道挡块相接触。此外，p+型隔离层被设置成包括解理面，该解理面将凹部的底部和侧壁之间的边界作为一条边。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及。2.相关技术描述绝缘栅双极晶体管(IGBT)是一种类型的功率半导体器件。IGBT是具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高速开关特性和电压驱动特性、以及双极晶体管的低导通电压特性的功率半导体元件。该IGBT的应用领域已从诸如通用反相器、AC伺服、不间断电源(UPS)或开关电源的工业领域扩展到了诸如电烤箱、饭煲、或频闪观测仪的家用电器领域。已研究了一种利用半导体元件的功率转换装置，其中双向开关元件被应用于诸如矩阵转换器的直接转换电路以便于执行AC(交流)/交流转换，由此减小电路的大小、降低电路的重量和成本，并改进该电路的效率和响应速度。该双向开关元件通过并联连接IGBT 和具有反相电压能力(下文中称为反向阻断能力)的反并联二极管(下文中称为反向阻断 IGBT)形成。因此，需要开发反向阻断IGBT。图25是示出根据相关领域的反向阻断IGBT的反向电压阻断结构的截面图。如图 25所示，在衬底上设置反向阻断IGBT的反向电压阻断结构，其将为η型漂移区1并包围有源区(未示出)。在反向阻断电压结构中，多个场限环(下文中称为FLR) 2设置在η型漂移区1的正面表面本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种半导体器件，包括：正面元件结构，其设置在第一导电类型衬底的第一主面上；第二导电类型的第一半导体区，其在所述衬底的第一主面上设置在一元件的端部处；凹部，其从所述衬底的第二主面延伸至所述第一半导体区；以及第二导电类型的第二半导体区，其设置在所述衬底的第二主面上且与所述第一半导体区电连接，其中所述第一半导体区包括至少一个解理面，所述至少一个解理面将所述凹部的底部和侧壁之间的边界作为其一条边。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：胁本博树，井口研一，吉川功，中岛经宏，田中俊介，荻野正明，
申请(专利权)人：富士电机控股株式会社，
类型：发明
国别省市：JP