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所揭示的是能够防止电特性退化的半导体器件及制造半导体器件的方法，多个场限环(FLR)和沟道挡块在反向阻断IGBT的反向电源阻断结构中被设置在n型漂移区的正面的表面层上。p型集电区设置在n型漂移区的背面表面的表面层上。在元件端部设置用于获取反...
该专利属于富士电机控股株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士电机控股株式会社授权不得商用。

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