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富士电机控股株式会社专利技术
富士电机控股株式会社共有95项专利
柔性基质处理设备制造技术
对柔性基质(1)的横向位置进行控制的位置控制装置(21、5)包括:成对上部夹持辊子(21、24、25),该成对上部夹持辊子对柔性基质的上边缘部分进行夹持,且成对上部夹持辊子的旋转轴倾斜,从而成对上部夹持辊子在夹持部分中的旋转方向相对于柔...
彩色有机EL显示器用色转换滤光片面板和彩色有机EL显示器制造技术
对通过喷墨法相邻地堆叠配置的色调不同的色转换层的形成区域进行划分的分离隔壁,在延伸到画面区域的外侧的两长度方向端部的前端面具有至少一个切槽。能够提供具有在通过喷墨法形成色转换层时,能够防止分离隔壁的长度方向端部的相邻的色转换层间的墨水混...
有机发光元件制造技术
本发明涉及一种有机发光元件。本发明的有机发光元件的特征在于:包括一对电极和配置于该一对电极间的至少含有有机发光层的有机EL层,上述有机发光层含有电子传输性的主体材料、至少第1客体材料和第2客体材料,上述第1和第2客体材料均在蓝色或蓝绿色...
共轭高分子共聚物、使用该共聚物的色变换膜和多色发光有机EL器件制造技术
本发明的目的在于提供一种不增加厚度、在长时间内保持充分的变换光强度、且能够以低成本的湿式工艺制作的绿色发光色变换膜。本发明的色变换膜含有通式(1)所示的共轭高分子化合物。另外,本发明涉及至少一方为透明电极的一对电极、一对电极所夹持的有机...
有机电致发光元件及其制造方法技术
本发明的目的是提供一种顶部发光有机EL元件或透明有机EL元件,其具有低驱动电压和高效率。本发明的有机EL元件依次包括:基板;阳极;有机EL层,其包括至少一个发光层、电子传输层和减轻破坏的电子注入层;以及透明阴极。所述透明阴极由透明导电性...
包含共轭高分子量共聚物的色彩转换膜和使用该色彩转换膜的多色发光有机EL器件制造技术
所公开的是一种色彩转换膜,其能在无需增大其厚度的情况下将转换光强度长时间保持在足够的程度。该色彩转换膜的特征在于包括共轭高分子量共聚物,该共聚物具有含有交替的含芴基重复单元和亚芳基亚乙烯基重复单元且亚苯基被插入芴基两端作为间隔基团的结构...
用于有机EL元件的密封膜,有机EL元件以及有机EL显示器制造技术
本发明的目的是提供一种用于有机EL元件的密封膜,该密封膜由于不存在针孔而具有极佳的耐湿性。本发明的密封膜是用于有机EL元件的密封膜,该密封膜具有至少由三层构成的层状结构,其中氮化硅膜和氧氮化硅膜交替层叠,该密封膜的特征是从有机EL元件侧...
有机EL器件及其制造方法技术
本发明的目的在于提供能够长期间维持优异的发光效率的有机EL元件,特别是顶部发射型有机EL器件,本发明的有机EL器件,包括基板和形成在基板上的有机EL元件,其特征在于:有机EL元件由下部电极、有机EL层、上部电极和保护层构成,保护层是Si...
使用聚合物染料的色转换膜和使用该色转换膜的发多色光的有机EL装置制造方法及图纸
本发明提供一种色转换膜,该色转换膜能保持充分的转换光强度而无需增加其厚度,本发明还提供一种使用该色转换膜的发多色光的有机EL装置。本发明的色转换膜包括由第一染料单元和第二染料单元组成的聚合物染料。第一染料单元吸收入射到色转换膜上的光,并...
色变换层及其制造方法技术
本发明提供一种不使色变换层的膜厚极端地增大、且可以在制造工序中容易地制作实现高效的色变换特性的色变换层的方法。另外,本发明还提供通过该方法制造的色变换层、以及包括该色变换层的有机EL元件。使具有特定范围的重均分子量的高分子材料与色变换材...
有机EL器件制造技术
本发明提供一种有机EL器件,其包括:基板;形成在上述基板上的有机EL元件;和形成在上述有机EL元件之上的密封膜,其中,上述密封膜是含有H的氮化硅膜,上述含有H的氮化硅膜中的H含量为0.85~0.95at%。
半导体器件制造技术
根据本发明的一种半导体器件,其包括n-型漂移区1;在漂移区1的表面部分中有选择地形成的P型基区2;在基区2的表面部分中有选择地形成的n+型发射区3和p+型体区4两者;以及在漂移区1和基区2之间的n型壳区5,该壳区5包围基区2下的整个区域...
液体冷却式散热器制造技术
本发明涉及液体冷却式散热器,散热器主体由高热传导性材料构成,呈扁平体,在其上面与发热体结合,在该散热器主体内部形成冷却液体流入的流入集管,冷却液体流出的流出集管,以及由以规定间隔平行配设的多个散热片形成的多个冷却液体流通通道,在由所述散...
流体冷却式散热器制造技术
本发明涉及一种流体冷却式散热器,设有平板形的散热器主体,其由热传导性材料构成,与发热体结合,在该散热器主体内部形成冷却流体流入的流入集管部,冷却流体流出的流出集管部,以及由以规定间隔平行配设的多个散热片形成的多个冷却流体流通通道,通过由...
整流器电路制造技术
本发明提供用于将交流电压转换成直流电压的、由所提供的旁路电路形成的、具有连接到交流电源的开关段的一种高功率因素整流器电路。当交流电源的电压高于直流输出侧上的平滑电容器两端的电压时,该旁路电路通过使开关段不导通而使从交流电源流向电容器的充...
超级结半导体器件的制造方法技术
本发明提供一种超级结半导体器件的制造方法。本发明的课题在于,提供降低n型柱和p型柱的电荷平衡偏差、耐压合格品率高的超级结半导体器件的制造方法。在高浓度的第一导电型半导体基板(1)上,形成由第一导电型区域(4)和第二导电型区域(5)构成的...
半导体器件和制造半导体器件的方法技术
所揭示的是能够防止电特性退化的半导体器件及制造半导体器件的方法,多个场限环(FLR)和沟道挡块在反向阻断IGBT的反向电源阻断结构中被设置在n型漂移区的正面的表面层上。p型集电区设置在n型漂移区的背面表面的表面层上。在元件端部设置用于获...
功率半导体器件及使用该器件的功率转换系统技术方案
当用当前可从市场上买到的半导体模块配置多电平转换系统时,导线电感增大,开关时的浪涌电压增高,半导体芯片和转换系统大,且价格高昂。三个或更多个电平的转换器电路的单相通过组合两种类型的功率半导体模块来配置,这两种类型的功率半导体模块包括反并...
功率半导体器件及使用该器件的功率转换系统技术方案
对于已知模块而言,由于导线电感的存在,IGBT截止时的峰值电压值比直流电压高出浪涌电压的量,换言之具有高额定电压的元件是必要的。具有高额定电压的芯片导致模块和应用该芯片的设备的尺寸增大以及成本增加。第一IGBT、其阴极连接到第一IGBT...
电感器制造技术
一种电感器使用了两条导线。每一条导线的两端连接至由导线共用的引线(端子)。每一条导线缠绕以形成环状磁性物质的半圆周。一条导线缠绕在磁性物质的下半区周围以形成一个绕组,而另一条导线缠绕在磁性物质的上半区周围以形成另一个绕组。以此方式,引线...
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