一种体内电导调制增强的沟槽型绝缘栅双极型晶体管制造技术

一种体内电导调制增强的沟槽型绝缘栅双极型晶体管(Trench?IGBT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明专利技术在常规Trench?IGBT器件结构的基础上，在器件P-基区和N-漂移区之间引入介质层，有效的阻止了正向导通时P-基区对N-漂移区边沿的少子空穴的抽取，使整个N-漂移区的电子和空穴浓度大大增加，优化了漂移区载流子浓度分布，增强了器件体内的电导调制，降低了器件的正向导通压降，从而获得更好的正向导通压降和关断损耗之间的折衷；同时没有牺牲芯片表面的利用率，节约了芯片面积。本发明专利技术适用于从小功率到大功率的半导体功率器件和功率集成电路领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于功率半导体器件
，涉及沟槽型绝缘栅双极型晶体管(Trench IGBT)，更具体的说，涉及具有体内电导调制增强的Trench IGBT器件。
技术介绍
以功率器件和功率集成电路为核心和基础的电力电子技术是实现高效节能和促进机电一体化的关键技术，它是弱电控制与强电运行之间，信息技术与先进制造技术之间的桥梁。在电力电子学领域，功率半导体器件作为关键部件，其特性对系统性能的实现和改善起着至关重要的作用。IGBT是一种MOS场效应和双极型晶体管复合的新型电力电子器件。它既有MOSFET易于驱动，控制简单、开关频率高的优点，又有功率晶体管的导通压降低，通态电流大，损耗小的优点。鉴于IGBT的这些优点，它已成为当今先进电力电子装置的主选开关器件，广泛地应用在诸如通信、能源、交通、工业、医学、家用电器及航天航空等国民经济的各个领域。普通Trench IGBT器件结构如图1所示，包括集电极11、P+集电区12、N+电场截止区13、N—漂移区14、P—基区15、P+接触区16、N+源区17、多晶硅栅极18、栅氧化层19、栅极与发射极之间的绝缘层20和发射极21 ；集电极11位于P本文档来自技高网...

【技术保护点】
１．一种体内电导调制增强的沟槽型绝缘栅双极型晶体管，包括集电极（１１）、Ｐ＋集电区（１２）、Ｎ＋电场截止区（１３）、Ｎ－漂移区（１４）、Ｐ－基区（１５）、Ｐ＋接触区（１６）、Ｎ＋源区（１７）、多晶硅栅极（１８）、栅氧化层（１９）、栅极与发射极之间的绝缘层（２０）和发射极（２１）；集电极（１１）位于Ｐ＋集电区（１２）背面，Ｎ＋电场截止区（１３）位于Ｐ＋集电区（１２）正面，Ｎ－漂移区（１４）位于Ｎ＋电场截止区（１３）表面，Ｐ＋接触区（１６）和Ｎ＋源区（１７）二者并排相间地位于发射极（２１）下方并与发射极（２１）相连，Ｐ＋接触区（１６）和Ｎ＋源区（１７）二者与Ｎ－漂移区（１４）之间具有Ｐ－基区（１５...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张金平，李泽宏，安俊杰，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：90