温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种体内电导调制增强的沟槽型绝缘栅双极型晶体管(Trench?IGBT)，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规Trench?IGBT器件结构的基础上，在器件P-基区和N-漂移区之间引入介质层，有效的阻止了正向导通时P-基区对N-漂移区边...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。