【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，尤指一种以铜核基板为基础，开始制作 增层封装基板的制作方法，于其中，该封装基板的结构包括一厚铜蚀刻置晶接垫、 一增层线 路及球侧数个电性接脚接垫。
技术介绍
在一般多层封装基板的制作上，其制作方式通常系由一核心基板开始，经过钻孔、电镀 金属、塞孔及双面线路制作等方式，完成一双面结构的内层核心板，之后再经由一线路增层 制程完成一多层封装基板。如图2 l所示，其系为一有核层封装基板的剖面示意图。首先， 准备一核心基板6 0，其中，该核心基板6 0由一具预定厚度的芯层6 0 l及形成于此芯层 6 0 l表面的线路层6 0 2所构成，且该芯层6 0 1中形成有数个电镀导通孔6 0 3，可藉 以连接该芯层6 0 1表面的线路层6 0 2 。接着如图2 2 图2 5所示，对该核心基板6 O实施线路增层制程。首先，系于该核心 基板6 0表面形成一第一介电层6 1，且该第一介电层6 l表面并形成有数个第一开口6 2 ，以露出该线路层6 0 2;之后，以无电电镀与电镀等方式于该第一介电层6 l外露的表面 形成一晶种层6 3 ，并于该晶种层6 3上形成一图案化阻...
【技术保护点】
一种高散热性封装基板的制作方法，其特征在于至少包含下列步骤： （Ａ）提供一铜核基板； （Ｂ）分别于该铜核基板的第一面上形成一第一阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第二阻层，于其中，该第一阻层上形成数个第一开口，并显露其下该铜核基板的第一面； （Ｃ）移除该数个第一开口下方的部分厚铜，并形成数个第一凹槽于该铜核基板的第一面上； （Ｄ）移除该第一阻层及该第二阻层，并形成具有数个置晶接垫的铜核基板； （Ｅ）于该铜核基板的第一凹槽上形成一第一介电层及一第一金属层，并显露该铜核基板第一面上用以定义置晶位置的数个置晶接垫； （Ｆ）分别于该铜核基板的第一面上形成...
【技术特征摘要】
1.一种高散热性封装基板的制作方法，其特征在于至少包含下列步骤(A)提供一铜核基板；(B)分别于该铜核基板的第一面上形成一第一阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第二阻层，于其中，该第一阻层上形成数个第一开口，并显露其下该铜核基板的第一面；(C)移除该数个第一开口下方的部分厚铜，并形成数个第一凹槽于该铜核基板的第一面上；(D)移除该第一阻层及该第二阻层，并形成具有数个置晶接垫的铜核基板；(E)于该铜核基板的第一凹槽上形成一第一介电层及一第一金属层，并显露该铜核基板第一面上用以定义置晶位置的数个置晶接垫；(F)分别于该铜核基板的第一面上形成一完全覆盖状的第三阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一第四阻层，于其中，该第四阻层上形成有数个第二开口，并显露其下该铜核基板的第二面；(G)于数个第二开口表面形成数个第二凹槽，并显露该数个第二开口下方的第一介电层；(H)移除该第三阻层及该第四阻层，并形成具数个柱状电性接脚接垫的铜核基板；(I)于数个第二凹槽内形成一第一电性阻绝层，并显露球侧数个电性接脚接垫；(J)于该第一金属层与该第一介电层上形成数个第三开口，并显露球侧数个电性接脚接垫；(K)于该铜核基板的第二面上形成一第五阻层；(L)于数个第三开口中、第一金属层、第一介电层及数个置晶接垫上形成一第二金属层；(M)移除该第五阻层；(N)分别于该第二金属层上形成一第六阻层，以及于该铜核基板的第二面上形成一完全覆盖状的第七阻层，于其中，该第六阻层上并形成数个第四开口，并显露其下的第二金属层；(O)移除该第四开口下方的第二金属层及第一金属层；(P)移除该第六阻层及该第七阻层，并形成一第一线路层。至此，完成一具有数个球侧电性接脚接垫及厚铜蚀刻置晶接垫的增层线路基板；(Q)于该增层线路基板上进行一置晶侧线路层与球侧电性接脚接垫的制作，于其中，在该第一线路层表面形成一第一防焊层，且该第一防焊层上并形成数个第五开口，以显露线路增层结构作为电性连接垫的部分，最后，分别于数个第五开口上形成一第一阻障层，以及于数个电性接...
【专利技术属性】
技术研发人员：林文强，王家忠，陈振重，
申请(专利权)人：钰桥半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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